一.產(chǎn)品簡介：

根據(jù)直流安秒特性測試的現(xiàn)實狀況，本公司推出了一種適合變電站現(xiàn)場使用、便于攜帶、自動化程度高的HDAS斷路器安秒特性測試儀，可以為運行維護(hù)部門提供直流保護(hù)電器動作特性的測試手段，對直流保護(hù)電器的動作特性以及級差配合進(jìn)行校驗，以便提高直流系統(tǒng)運行的可靠性，保證電網(wǎng)的安全可靠運行。

HDAS直流安秒特性測試儀適用于額定電流1A～500A直流斷路器的安秒特性測試，并可用于6A～100A直流熔斷器的安秒特性測試。也可對保險絲進(jìn)行做安秒特性試驗1A-1000A直流安秒特性測試儀為臺式測試臺.

二.產(chǎn)品特點：

    1. 采用現(xiàn)在ARM9+DSP技術(shù)，對直流斷路器分?jǐn)嗵匦赃M(jìn)行測試，測量準(zhǔn)確

    2.線性恒流控制技術(shù)，新型功率器件，響應(yīng)速度快，恒流精度高，測試電流自由設(shè)定

    3.先進(jìn)的測試技術(shù)，可對斷路器分?jǐn)鄷r間進(jìn)行高精度測試，測試精度高達(dá)0.01ms

    4.高亮度大屏幕液晶顯示器，使用簡單，操作方便

    5.設(shè)備具備自保護(hù)功能，保證測試過程的安全性和可靠性

    6.大容量存儲設(shè)備，可存儲400條測試記錄，掉電不丟失

    7.USB數(shù)據(jù)通信，先進(jìn)的計算機管理分析軟件可重現(xiàn)斷路器的安秒特性曲線，實現(xiàn)數(shù)據(jù)管理、查詢、分析和表輸出打印等功能

    8.多種故障保護(hù)功能，使用安全可靠。

    9.體積小、重量輕、便于攜帶

三.主要技術(shù)要求：

    1. 電源輸入：220V±20%，頻率50Hz

    2. 測試電流范圍：0-1000A 

    3. 測試電流紋波系數(shù)：小于1%

    4. 輸出電流穩(wěn)定性：≤±1%

    5. 時間記錄范圍：1ms-1000s

    6. 時間分辨率：0.1ms 

    7. 外型尺寸：310mm×480mm×420mm   

    8. 重量：32.5kg

    9. 包裝：鋁合金儀表箱

    10. 不需要任何防護(hù)措施,可以直接測試

更多產(chǎn)品請武漢華頂電力設(shè)備有限公司 

測繞組試驗完畢，將電壓降為零，切斷電源，必須充分放電后再進(jìn)行其他操作。

試驗結(jié)果判斷依據(jù)試驗電壓見表1。

表1試驗電壓值                          kV

繞組的直流泄漏電流測量從原理上講與絕緣電阻測量是*一樣的，能發(fā)現(xiàn)的缺陷也基本*，只是由于直流泄漏電流測量所加電壓高，因而能發(fā)現(xiàn)在較高電壓作用下才暴露的缺陷，故由泄漏電流換算成的絕緣電阻值應(yīng)與兆歐表所測值相近。

500 kV變壓器的泄漏電流一般不大于30μA。任一級試驗電壓時，泄漏電流的指示不應(yīng)有劇烈擺動。

注意事項

分級絕緣變壓器試驗電壓應(yīng)按被試?yán)@組電壓等級的標(biāo)準(zhǔn)，但不能超過中性點絕緣的耐壓水平。

高壓引線應(yīng)使用屏蔽線以避免引線泄漏電流對結(jié)果的影響，高壓引線不應(yīng)產(chǎn)生電暈。

微安表應(yīng)在高壓端測量。

負(fù)極性直流電壓下對絕緣的考核更嚴(yán)格，應(yīng)采用負(fù)極性。

由于出廠試驗一般不進(jìn)行直流泄漏測量，直流泄漏電流值應(yīng)符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，并為以后預(yù)試比較判斷留存依據(jù)。

如果泄漏電流異常，可采用干燥或加屏蔽等方法加以消除。

繞組連同套管的tgδ

測試方法拉薩市直流安秒特性測試儀制造廠家拉薩市直流安秒特性測試儀制造廠家

測量時根據(jù)試品的接地狀況選擇正接線或反接線。在有干擾時應(yīng)設(shè)法排除以保證測量結(jié)果的可靠性。試驗中被測繞組短接，各非被測繞組短路接地。

試驗前應(yīng)將變壓器套管外絕緣清掃干凈。試驗原理接線圖（參照各介質(zhì)損耗測試儀試驗接線）。

試驗步驟測量并記錄頂層油溫及環(huán)境溫度和濕度。

按照儀器接線圖連接試驗線路，應(yīng)注意測試高壓線的對地絕緣問題。按照各介質(zhì)損耗測試儀操作說明進(jìn)行試驗。

試驗結(jié)果判斷依據(jù)（或方法）不同溫度下的tgδ值一般可用公式tgδ₂= tgδ₁×1.3^(t2-t1)/10換算（式中tgδ₁