1）雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)：
國內(nèi)*采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器，目前電壓擊穿儀器大都具備過壓、過流保護(hù)系統(tǒng)，假如，過壓或過流元失效，何來防護(hù)試驗儀器及操作人員安全。而華測*的雙系統(tǒng)相互制約，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，將瞬間切斷高壓。
2）TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：
目前國內(nèi)材料電壓
擊穿試驗儀采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國產(chǎn)儀器維護(hù)率過高的主要原因。而獨立開發(fā)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對控制系統(tǒng)的防護(hù)。
3）多級循環(huán)電壓采集技術(shù)：
材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級循環(huán)采集技術(shù)對擊穿后的電壓采集將解決此難題。
4）低通濾波電流監(jiān)測技術(shù):
高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號。而無論是國產(chǎn)與進(jìn)口電流采集傳感器，大都為工頻電流傳感器。而采集過程中無法將高頻信號處理。從而造成檢測不準(zhǔn)確。同時無論是采用磁通門或霍爾原理都存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號過大，從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分（隔離只起到屏蔽）。華測開發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻夾波信號處
理后，傳入PLC同時采用穩(wěn)壓技術(shù)而保證電流采集精度與保護(hù)采集元件。
