一、簡述

霍爾效應是電磁學中的一個重要實驗，其應用日益廣泛。霍爾效應可以測定材料的載流子濃度及載流子遷移率等重要參數，判斷材料的導電類型，是研究半導體材料的重要手段。霍爾效應可以測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉化成交流電流并對它進行調制、放大。應用霍爾效應制作的傳感器廣泛用于磁場、位置、位移、轉速的測量。

本實驗儀可使實驗者了解霍爾效應的原理、學會用霍爾效應測量磁場，儀器設有過熱、過壓、過流保護，實驗中不會損壞電流源和霍爾元件，特別適合學生自己動手、研究和分析實驗現象。

儀器配備國產霍爾元件和進口霍爾元件各１個。其中國產霍爾元件為硅，額定工作電流為10mA，透明環氧封裝，元件直觀性好；進口霍爾為砷化鎵（GaAs），Ｎ型半導體材料，額定工作電流為2.5mA,塑料封裝，外形如塑封三極管，使用方便，不易損壞。電磁鐵氣隙4mm，Z大磁感應強度接近500mT。

二、實驗內容

1． 測量霍爾電流I_H與霍爾電壓U_H的關系

2． 測量霍爾元件的靈敏度K_H.

3． 測量磁化曲線(或測量勵磁電流I_M與B的關系。)

4． 測量電磁鐵磁場沿水平方向的分布

三、主要技術參數

1. 電磁鐵磁感應強度＞450mT/A.

2. 進口砷化鎵（GaAs）霍爾和國產硅（Si）霍爾兩種實驗樣品

3. 恒流源1：0～1000mA，

4. 恒流源2：0～19.99mA，

5. 三位半數碼管顯示

6. 四位半電壓表量程：0～±199.99mV.

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