特性：
1. 采用碳化硅（SiC）材料
2. 寬頻段（UVA+UVB+UVC）
3. 有效探測區域0.2mm2（SG01M-51LENS敏感區域為11.0mm2，可探測非常弱的輻射）
4. 10mW/cm2峰值輻射照度產生約2600nA電流（10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS約140nA）
5. 芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）
關于碳化硅材料（SiC）：
SiC可承受輻射硬度，近乎*的可見盲區，低暗電流，高速響應和低噪音的*屬性；這些功能使SiC成為可見盲區紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以*工作在高達170℃的溫度中，信號（響應率）的溫度系數也很低，<0.1%/K。由于（fA級別的暗電流）噪音低，很低的紫外線輻射強度也可以可靠地測量，（需要適當的放大器）。
SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測設備或帶有光學濾波器，提供對UVA、UVB、UVC波段的響應。
技術參數:
型號 | SG01M-18 | SG01M-18S | SG01M-18ISO90 | SG01M-5LENS |
響應率 | 0.13A/W | 0.13A/W | 0.13A/W | 0.13A/W |
波長典型值 | 280nm | 280nm | 280nm | 280nm |
波長范圍（S=0.1*Smax） | 221-358nm | 221-358nm | 221-358nm | 221-358nm |
可見盲區（Smax/S>405nm） | >1010 | >1010 | >1010 | >1010 |
有效探測區域 | 0.2mm2 | 0.2mm2 | 0.2mm2 | 0.2mm2（芯片尺寸）11.0mm2(輻射敏感區域) |
暗電流（1V反向偏壓） | 0.7fA | 0.7fA | 0.7fA | 0.7fA |
電容 | 50pF | 50pF | 50pF | 50pF |
短路電流（10mW/cm2峰值輻射照度） | 約2600nA | 約2600nA | 約2600nA | （10uW/cm2峰值）約140nA |
溫度系數 | <0.1%/K | <0.1%/K | <0.1%/K | <0.1%/K |
操作溫度 | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ |
儲存溫度 | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ |
焊接溫度（3S） | 260℃ | 260℃ | 260℃ | 260℃ |
反向電壓VRmax | 20V | 20V | 20V | 20V |
物理特性 | 采用T018金屬外殼密封，1針腳絕緣，1針腳接地 | 采用T018金屬外殼密封，帶小蓋帽，1針腳絕緣，1針腳接地 | 采用T018金屬外殼密封，2針腳絕緣，1針腳接地 | 內置聚光鏡，采用T05金屬外殼密封，1針腳絕緣，1針腳接地 |
應用領域：
主要用于火焰控制(工業鍋爐)，水處理( UV強度的保險)，UV天文(陣列探測)，(紫外線照相機)，臭氧和污染物監測，火焰感應(火警安全裝置油滴監測)，測試太陽光中的紫外線強度(禮品、化妝品用具)，紫外線燈管的紫外線發生強度測試(科研或民用消毒碗柜的消毒效率檢驗)等。
