雙霍爾接近傳感器F6-D20H1（NPN型）利用磁感應原理，使內部開關動作，達到接點通斷的目的，實現對外電路的控制，*克服了機械碰撞開關存在的接觸不良，易損壞等特點。具有工作頻帶寬，響應快、面積小、靈敏度高、便于集成化、多功能化等優點，且易與計算機和其它數字儀表接口，因此被廣泛用于自動監測、自動測量、自動報警、自動控制等行業。

產品使用了先進的弱磁傳感器和微電子器件，具有高的磁靈敏度、高的分辨率和寬的反應頻率。電路設計采用了高抗干擾技術。輸出有交流固體開關（AC SSR）和電磁繼電器（EMR）觸點兩種方式，輸出開關容量大。系統設計采用了高可靠技術，每種功能均設置兩套電路，并聯連接，只要不同時失效，開關即可正常工作。

工作原理及應用范圍  
    霍爾集成電路是霍爾元件與電子線路一體化的產品，它是由霍爾元件、放大器、溫度補償電路和穩壓電路利用集成電路工藝技術制成的。它能感知一切與磁有關的物理量，又能輸出相關的電控信息，所以霍爾集成電路既是一種集成電路，又是一種磁敏傳感器，它一般采用DIP或扁平封裝。 

霍爾接近開關是根據霍爾效應原理制成的新型自動化開關器件。是以永磁體或導磁體作為觸發媒介的無觸點電子開關，通過霍爾效應元件接受磁力線的信號，經放大、整形后控制輸出狀態的通斷。由霍爾開關電路、保護器、狀態指示燈、防水外殼等組成，可將磁訊號轉換成數字電壓輸出。是實現位置控制、狀態控制、測速、計數、方向鑒別、自動保護的優選品種。其檢測對象須是磁性物體。

雙霍爾接近傳感器F6-D20H1（NPN型）產品特點：
1、 響應頻率高
2、重復定位精度高
3、 輸出波形純凈、性能穩定
4、帶工作狀態指示
5、穩定、可以在油污、粉塵、振動和溫差大的惡劣環境中可靠工作
6、 可以設置多重保護功能：反向極性保護，浪涌電壓保護和過熱保
7、 多種工作模式：常開、常閉、自鎖、NPN輸出、PNP輸出

類型分類

常開型：開關平常處在斷開狀態，當磁體作用時，則開關處于閉合狀態。

常閉型：開關平常處在閉合狀態，當磁體作用時，則開關處于斷開狀態。

開閉型：即一個開關分兩組共三根線，一根為公用線。一組為常開型，則另一組為常閉型。當磁體作用時，常開型處于閉合狀態，常閉型處于斷開狀態。

什么是霍爾傳感器

　　霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。

　　霍爾效應是磁電效應的一種，這一現象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時發現的。后來發現半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，利用這現象制成的各種霍爾元件，廣泛地應用于工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。

　　霍爾傳感器的原理介紹

　　磁場中有一個霍爾半導體片，恒定電流I從A到B通過該片。在洛侖茲力的作用下，I的電子流在通過霍爾半導體時向一側偏移，使該片在CD方向上產生電位差，這就是所謂的霍爾電壓。

　霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低，霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅動軸的某一位置。

　　利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器。霍爾效應傳感器屬于被動型傳感器，它要有外加電源才能工作，這一特點使它能檢測轉速低的運轉情況。

　　霍爾傳感器的特性

　　1、精度高：在工作溫度區內精度優于1%，該精度適合于任何波形的測量;

　　2、線性度好：優于0.1%;

　　3、霍爾傳感器可以測量任意波形的電流和電壓，如：直流、交流、脈沖波形等，甚至對瞬態峰值的測量。副邊電流忠實地反應原邊電流的波形。而普通互感器則是無法與其比擬的，它一般只適用于測量50Hz正弦波;

使用霍爾傳感器注意事項

　　在使用霍爾電流傳感器時，應注意一下幾點：

　　1、為了得到較好的動態特性和靈敏度，必須注意原邊線圈和副邊線圈的耦合，要耦合得好，最好用單根導線且導線*填滿霍爾傳感器模塊孔徑。

　　2、使用中當大的直流電流流過傳感器原邊線圈，且次級電路沒有接通電源|穩壓器或副邊開路，則其磁路被磁化，而產生剩磁，影響測量精度（故使用時要先接通電源和測量端M），發生這種情況時，要先進行退磁處理。其方法是次邊電路不加電源，而在原邊線圈中通一同樣等級大小的交流電流并逐漸減小其值。

霍爾集成電路的原理 
  當將一塊通電的半導體薄片垂直置于磁場中時，薄片兩側由此會產生電位差，此現象稱為霍爾效應。此電位差稱為霍爾電勢，電勢的大小E=KIB/d，式中K是霍爾系數，d為薄片的厚度，I為電流，B為磁感應強度。圖1示出霍爾效應的原理：在三維空間內，霍爾半導體平板在XOY平面內，它與磁場方向垂直，磁場指向Y軸的方向，沿X軸方向通以電流I，由于運動的電荷與磁場的相互作用，結果在Z軸方向上產生了霍爾電勢E，一般其值可達幾十毫伏。為此，將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上，就做成了溫度穩定性好、可靠性高的霍爾集成電路。