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超低能鍺探測器特征

• 光譜從 300 eV 到 300 keV

• 與硅（Li）和SDD相比效率高

• 出色的分辨率，高達非常高的計數率

• 高峰值/背景比

超低能鍺探測器描述

Mirion Ultra-LEGe探測器將Ge探測器的性能范圍擴展到幾百電子伏特，提供曾經被認為半導體探測器無法實現的分辨率和峰背景比。Ultra-LEGe保留了鍺探測器固有的高能效，因為原子序數（Z）很高，厚度相對較高（5-10毫米），因此涵蓋了極寬的能量范圍。下圖2中的圖表將5 mm厚鍺探測器的X射線光譜高能側的效率與典型的硅基探測器進行了比較。

傳統的Ge探測器，包括那些專門為低能量制造的探測器，在低于3 keV時，峰值形狀和效率都很差。這種特性一度被認為是Ge的基礎，因此禁止在大多數分析X射線應用中使用Ge探測器。Mirion開發了探測器制造技術，消除了這些問題。由此產生的探測器，Ultra-LEGe單元，提供鍺的固有效率和分辨率優勢，而沒有傳統鍺探測器的缺點。

超低能鍺探測器應用

• 6R?

• XAS （XAFS， EXAFS， XANES）

• X射線光譜

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