北京東方中科集成科技股份有限公司
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針對CCD、CMOS、image sensor、相機等圖像影像傳感器開發，適合多種規格的芯片和板卡性能測試，包括量子效率、光譜響應、系統增益、飽和照射光子數、最小可探測照射光子數、動態范圍、暗電流、線性度和線性誤差、光電響應不均勻度、暗信號不均勻度、CRA特性測量。
針對COMS,CCD等影像傳感器開發，適合多種規格的芯片傳感器的量子效率測量。
1.可量測單一像素點的量子效率。
2.可量測全數組像素量子效率。
3.可產生各種所需單色光均勻光源，自動化校正各單色光、特定單色光入射光子數。
4.選配：可加配CRA載臺，用以測試chief ray angle。
5.選配：軟件可配合用戶需求修改。
6.為全自動化設計，操作簡易。
主要可測量的參數：
1.系統增益System gain(K)
2.量子效率Quantum efficiency
3.飽和照射光子數
4.最小可探測照射光子數
5.動態范圍(DR)
6.暗電流
7.線性度和線性誤差Linear-Error
8.光電響應不均勻度PRNU
9.暗信號不均勻度 DSNU
系統優勢:
QE-IS系統采用光焱科技研發多年的單色光均光系統具備下列多項優勢:
| 項目 | QE-IS 光學系統 | 傳統積分球系統 |
| 光均面均勻度 | > 99 % | > 99% |
| 光均面位置 | 距均光系統出口300 mm | 積分球開口處 |
| 光均面光強度 | > 5 uW/cm2 | 1x10-8 uW/cm2 (1米積分球) |
| 單像素QE量測 | 可(光強足夠) | 否(光強度過低) |
| 發散角度 (半角) | < 5度 | > 90度 |
| 可否量測CRA | 可 | 否 |
產品規格
1.適用影像組件尺寸: 1/4"、1/3"、1/2"、2/3"、1"
2.單色光光譜范圍: 200~1100 nm (可擴充)
3.均勻光源規格: 10 mm x 10 mm或更大
4.光均勻度> 99 %
5.單色光源角度: < 2.50 (半角)
6.最小波長步進分辨率：0.1 nm
7.波長FWHM 可做0.1~30 nm調整
8.CRA角度精度?1度
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