四探針導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 金屬半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬薄膜材料電阻測(cè)試儀
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
四探針導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 金屬半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬薄膜材料電阻測(cè)試儀
型號(hào)DL04-SB100A-2
DL04-SB100A/2為原SB100/1及SB100A/1的改進(jìn)型。
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
（使用環(huán)境5—40℃，相對(duì)濕度<80%，供電220V50Hz，為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用）
SB100A/2由SB118直流電壓電流源、PZ158A直流數(shù)字電壓表、SB120/2四探針樣品測(cè)試平臺(tái)三部分組成。
lSB118直流電壓電流源：是一臺(tái)4½位的電壓源及電流源，既可輸出5µV—50V，5檔可調(diào)電壓，基本誤差為±（0.1%RD+0.02%FS）又可輸出1nA—100mA，5檔可調(diào)電流，基本誤差為±（0.03%RD+0.02%FS）詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品SB118。
lPZ158A直流數(shù)字電壓表：具有6½位字長(zhǎng)，0.1μV電壓分辨力的帶單片危機(jī)處理技術(shù)的高精度電子測(cè)量?jī)x器，可測(cè)量0-1000V直流電壓。基本量程的基本誤差為±（0.002%RD+0.0005%FS），詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品PZ158A。
lSB120/2四探針樣品測(cè)試平臺(tái)：該測(cè)試平臺(tái)是SB120/1測(cè)試平臺(tái)的改進(jìn)型。其有底座、支架、旋動(dòng)部件、樣品平臺(tái)、四探針及接線板等組成。由于其整個(gè)結(jié)構(gòu)及旋動(dòng)方式都在原SB120/1的基礎(chǔ)上作了很大的改進(jìn)，故在高校的物理實(shí)驗(yàn)及科學(xué)研究總為導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻和電阻率的測(cè)試、研究提供了較大的方便。
四探針導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 金屬半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬薄膜材料電阻測(cè)試儀
四探針導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 金屬半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬薄膜材料電阻測(cè)試儀
儀表網(wǎng)