深圳韋克威科技有限公司
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2952采用了一個的推挽式惠斯通全橋結構設計，包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩定性。性能，采用DFN8L封裝形式(2mm ×2mm×0.45mm)特性 ：隧道磁阻（TMR）技術高穩定性高靈敏度：2mV/V/Gs低磁滯：0.3%@
2952采用了一個的推挽式惠斯通全橋結構設計，包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩定性。性能，采用DFN8L封裝形式(2mm ×2mm×0.45mm)
特性 ：
隧道磁阻（TMR）技術
高穩定性
高靈敏度：2mV/V/Gs
低磁滯：0.3%@±100Gs
線性誤差：±1%@±100Gs
工作磁場范圍：±100Gs
工作溫度范圍：-40~125℃
供電電壓：1~7V
(典型電路圖)
應用：
電流傳感器
磁力計
角度傳感器
位置傳感器
（封裝尺寸）
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