武漢優瑋創工業裝備有限公司
中心傳感單元采用高精度硅技術
中心傳感單元采用高精度硅技術,精確到±0.05%(可達±0.025%)
雙過載保護膜片設計,單相過壓可達42MPa
靜壓誤差可達±0.05% / 10MPa內
溫度性能在±0.04% / 10k內,溫度影響變化小
量程比調節100:1,適應性更廣
多參量(壓力、溫度、靜壓)輸出應用可選
EMC符合GB / T 18268.1-2010
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