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SUM50020EL-GE3 n溝道場效應管

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更新時間：2025-01-15 07:50:44瀏覽次數：66次

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產品簡介

SUM50020EL-GE3 n溝道場效應管更新：2024-3-13 14:50:12點擊：產品品牌Vishay產品型號SUM50020EL-GE3產品描述MOSFET N-Channel 60-V (D-S) TrenchFET...PDF下載詢價申請樣品

詳細介紹

產品介紹

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進行擴展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝，具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應用包括電源、電機驅動器開關、直流/直流電源逆變器和整流器、電動工具及電池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

結溫 175°C

非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗

經 100（單位:%）Rg 和 UIS 測試

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通過邏輯電平柵極驅動進行操作

規格

通道數量:	1 Channel
晶體管極性:	N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:	60 V
Id-連續漏極電流:	120 A
Rds On-漏源導通電阻:	2.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:	+/- 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:	1.2 V
Qg-柵極電荷:	126 nC
工作溫度:	+ 175 C
技術:	Si
封裝:	Reel
通道模式:	Enhancement
配置:	1 N-Channel
下降時間:	11 ns
最小工作溫度:	- 55 C
Pd-功率耗散:	375 W
上升時間:	20 ns
晶體管類型:	N-Channel
典型關閉延遲時間:	55 ns
典型接通延遲時間:	15 ns