上海德竹芯源科技有限公司
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產(chǎn)品型號
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廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時間：2024-08-11 07:37:02瀏覽次數(shù)：89次
聯(lián)系我時，請告知來自 儀表網(wǎng)SI 500 PPD 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)采用經(jīng)典平行板電極設(shè)計，兼容低溫沉積工藝。
等離子體增強化學氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
SI 500 PPD PECVD 采用經(jīng)典平行板電極設(shè)計，兼容低溫沉積工藝。
主要配置特點
● 工藝靈活性：SI 500 PPD PECVD 可在從室溫到 350℃ 的溫度范圍內(nèi)進行 SiO2、SiNx、SiOxNy 和 α-Si 的標準的等離子體化學氣相沉積工藝。
● 預(yù)真空室：SI 500 PPD PECVD 的特色是配備預(yù)真空室和干泵，用于無油、高效率化學氣相沉積過程。
● 控制軟件：SENTECH強大的用戶界面友好軟件，包括模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝菜單編輯窗口、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
應(yīng)用展示
低溫沉積Si、SiO2薄膜
用戶友好控制軟件
SI 500 PPD配置選項
● 等離子體增強化學氣相沉積主機
● 預(yù)真空室
● 適用于大到 200mm 的晶片
● 襯底溫度：從室溫到 350?°C
● 可選低頻射頻進一步降低應(yīng)力
● 用于沉積 TEOS 的液態(tài)前驅(qū)體解決方案
● 干泵組
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