上海德竹芯源科技有限公司
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所 在 地上海
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更新時間：2024-08-11 07:30:56瀏覽次數(shù)：49次
聯(lián)系我時，請告知來自 儀表網(wǎng)SYSKEY可提供反應(yīng)離子刻蝕和電感耦合反應(yīng)離子刻蝕，支持 8 英寸樣品。
反應(yīng)離子腐蝕
Reactive Ion Etching - RIE
技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法刻蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng)，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。
平行式RIE系統(tǒng)采用圓柱型真空內(nèi)腔，襯底載臺位于腔體底部且腔室電隔離。氣體由腔室頂部進入，從底部被真空泵抽走。
電感耦合等離子體刻蝕
Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE
利用射頻感應(yīng)線圈產(chǎn)生氣體等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現(xiàn)非常高的等離子體密度，其增加了蝕刻速率，且RF偏壓被施加到襯底上產(chǎn)生的定向電場可以實現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。
刻蝕所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻材料和工藝；例如，SF6通常用于Si的刻蝕，CF4常用于石英材料刻蝕，Cl2常用于金屬材料刻蝕。通過腔體內(nèi)的工作壓力由流量計和蝶閥協(xié)同控制，工藝壓力通常在幾毫托和幾百毫托之間。
RIE和ICPRIE被廣泛應(yīng)用于微納加工技術(shù)中，根據(jù)被刻蝕材料可簡單分類為：
● 介質(zhì)刻蝕：SiO2，Si3N4，Al2O3等
● IV族半導(dǎo)體刻蝕：Si，Ge
● III-V族半導(dǎo)體刻蝕：GaN，GaP，GaAs等
● II-VI族半導(dǎo)體刻蝕：InSb等
● 金屬刻蝕：Cu，Al，Au等
配置特點：
● 樣品尺寸：6寸、8寸、12寸
● 本底真空優(yōu)于 5 × 10-3 Torr
● 前驅(qū)工藝氣體：最多 9 路工藝氣體，根據(jù)刻蝕種類選擇
● 蝶閥全自動壓力控制
● 前驅(qū)物加熱與冷卻功能可選，且可替換
● 300W/600W/1000W ICP 等離子體模塊，300W/600W下電極射頻電源
● 刻蝕均勻性優(yōu)于5%
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