上海德竹芯源科技有限公司
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SWA-20US 適用晶圓尺寸 6 寸及以下晶圓激光退火，具有晶圓厚度檢測、激光功率檢測、激光束圖形檢測、激光焦點檢測功能。
● 適用晶圓尺寸：6 寸及以下晶圓，同時兼容不小于 10mm×10mm 的碎片
● 適用晶圓厚度：100μm ~ 1000μm 厚度的晶圓的激光退火
● 激光模式：UV-YAG 激光器，波長 355nm
● 激光器脈沖寬度：60ns(@20kHz)
● 激光器標準壽命：20000h
● 激光束尺寸：Φ100um ± 5um
● 激光掃描方法：Galvano 高速掃描方式，光斑在掃描方向上的重疊率、行與行之間的重疊率均可調節
● 工藝腔室：室溫，工藝腔室用 N2 或 Ar 氛圍保護，帶有氧氣濃度監控，通過軟件控制實現氧氣濃度達到 100ppm 以內才啟動工藝的功能
● 生產能力：＞4wph＠6inch（光斑在掃描方向上的重疊率 67、行與行之間的重疊率 50% 的條件下）
● 非照射面溫度抑制：加工過程中，非照射面的溫度 ≤ 100℃
● 選擇性退火功能：可通過電腦軟件控制，對晶圓/樣片進行分區域不同條件選擇性激光退火
用戶的課題
● 兼顧晶圓薄片化及生產性的光源選定
● 針對 SiC 功率器件薄片化應用下光源（Green/UV）帶來的熱損傷
● SiC 功率器件的熱損傷與生產性之間的平衡
已解決問題、可達成目標
● 通過模擬實驗對照射條件的事先研究
● 驗證照射測試的模擬實驗結果，提案理想條件
● SiC 用激光退火設備光源選定之要點
激光光源選定時的要點
器件的厚度
● Green 激光相較于 UV 激光，因為對于金屬來說吸收率較低，作為退火條件，要求用較高的輻射強度進行照射。因此一般情況下，對于比 100~120μm 更薄的器件，更容易受到熱影響。
激光對SiC的穿透深度
● 對 SiC 晶圓進行激光照射時，不同波長會導致穿透深度產生差異。使用 Green 激光時，激光穿透至表面（圖案面）。這使得成膜工序中金屬膜（Ni/Ti）有缺陷時，便有圖案被破壞的風險。
金屬膜（Ni）的吸收率
● 激光的波長不同，金屬膜的吸收率也有所不同。若要求同樣的退火結果，反射率低（＝吸收率高）只需投入較少能量。反之能量投入越多，越容易對器件產生熱影響。
生產性
● 基于器件結構和金屬的成膜條件，其照射條件將有所不同，一般情況下，Green 激光的生產性比 UV 激光高出 2.5~3倍。
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