蘇州慧聞納米科技有限公司
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SQD1003CO氣體傳感器（抗酒精干擾）點擊瀏覽pdf文件 SQD1003一氧化碳氣體傳感器是基于特定半導體氣敏材料開發的MEMS微型氣體傳感器，可用于檢測不同場景下的一氧化碳氣體含量，同時可以抵抗酒精等常見有機氣體的干擾
SQD1003一氧化碳氣體傳感器是基于特定半導體氣敏材料開發的MEMS微型氣體傳感器，可用于檢測不同場景下的一氧化碳氣體含量，同時可以抵抗酒精等常見有機氣體的干擾。
采用MEMS工藝，半導體材料，抗6000ppm酒精，尺寸小，功耗低，靈敏度高，響應恢復快，驅動電路簡單，穩定性好，壽命長，結構堅固，抗震性好。
技術參數：
產品型號 SQD1003 產品類型 MEMS半導體傳感器 標準封裝 陶瓷封裝 檢測氣體 一氧化碳（CO） 檢測濃度 0～500ppm(一氧化碳、人工煤氣) 分辨率 10ppm 工作溫度 -20-55℃ 工作濕度 10-95%RH 標準電路條件 MCU的I/O來輸出高電平5V或者3.3V 標準電路條件 標準測試條件下氣敏元件特性 加熱電壓1（CO） VH1 3.3±0.1V DC 負載電阻1（CO） RL1 可調（以出貨報告為準） 加熱電壓2（酒精） VH2 1.8±0.05V DC 負載電阻2（酒精） RL2 可調（以出貨報告為準） 標準測試條件下氣敏元件特性 標準測試條件 加熱電阻 RH 310Ω±20Ω（室溫） 加熱功耗 PH ≤60mW 敏感體電阻 RS 10KΩ～500KΩ(in 150ppm CO) 靈敏度 S R0(in air)/Rs(in 150ppmCO)≥5 斜率 α ≤0.5(R150ppm/R30ppm（CO） 標準測試條件 溫度、濕度 20℃±2℃；55%±5%RH 標準測試電路 Vcc：使用MCU的I/O來輸出高電平5V或者3.3V VH1：3.3±0.1V：VH2：1.8±0.05V 預熱時間 3-5min 響應時間（T90） <30s 恢復時間（T10） <60s 壽命 ≥3年
模組尺寸：
管腳定義
| Terminal Functions | ||
| NO. | NAME | DESCRIPTION |
| 1 | HOT1+ | Heater1 |
| 2 | VCC | Sensor electrode |
| 3 | HOT2+ | Heater2 |
| 4 | NG | / |
| 5 | NG | / |
| 6 | Vout2 | Sensor electrode |
| 7 | HOT | Public heating |
| 8 | Vout1 | Sensor electrode |
特性曲線：
注：圖中所有測試均在標準測試條件下完成，Ro表示傳感器在潔凈空氣中的穩定電阻，Rs表示傳感器在一定濃度的氣體氛圍中的穩定電阻值，橫坐標為持續通電的老化時間，縱坐標為傳感器的實際電阻值
| 傳感器靈敏度特性曲線 | 傳感器響應恢復曲線 |
| 傳感器溫度校準曲線 | 傳感器長期穩定性曲線 |
1.1 暴露于可揮發性硅化合物蒸氣中
傳感器要避免暴露于硅粘接劑、發膠、硅橡膠、膩子或其它存在可揮發性硅化合物的場所。如果傳感器的表面吸附了硅化合物蒸氣，傳感器的敏感材料會被硅化合物分解形成的二氧化硅包裹，抑制傳感器的敏感性，并且不可恢復。
1.2 高腐蝕性的環境
傳感器暴露在高濃度的腐蝕性氣體（如 H2S，SOX，Cl2，HCl 等）中，不僅會引起加熱材料及傳感器引線的腐蝕或破壞，并會引起敏感材料性能發生不可逆的劣變。
1.3 堿、堿金屬鹽、鹵素的污染
傳感器被堿金屬尤其是鹽水噴霧污染后，或暴露在鹵素如氟利昂中，也會引起性能劣變。
1.4 接觸到水
濺上水或浸到水中會造成傳感器敏感特性下降。
1.5 結冰
水在傳感器敏感材料表面結冰會導致敏感層碎裂而喪失敏感特性。
1.6 施加電壓過高
如果給傳感器或加熱器施加的電壓高于規定值，即使傳感器沒有受到物理損壞或破壞，也會造成引線和/或加熱器損壞，并引起傳感器敏感特性下降。
1.7 電壓加錯管腳
如果給傳感器或加熱和信號管腳電壓加錯，也會造成引線和/或加熱器損壞，并引起傳感器敏感特性下降。
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