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錯位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB
錯位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB
光致發光WT-2000PL,錯位缺陷可視化裝置EnVision,非接觸式遷移率測量LEI-1610系列,FAa lei-1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接觸式薄層電阻渦流LEI-1510系列,FA,lei-1510EB-RP,LEI-1510EC-RP,LEI-1510EB-RS,LEI-1510EC-RS,
LEI-1510EB,LEI-1510EC,高電阻率測量儀COREMA-2000,非接觸式遷移率測量LE1-1610系列
FAa lei -1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接觸式CV測量裝置Cn_CV 350 CV/IV,非接觸式CV測量裝置Cn-CV 330/230 CV/IV
產品介紹
WT-2000 系列能夠進行高速測量（20 晶圓/小時 - 2500 點），還支持高分辨率映射測量。
提供 266nm、355nm、405nm、532nm、785nm 和 980nm 的多種激光選項
晶體缺陷可視化裝置 EnVision 是一種非破壞性、非接觸式半導體檢測系統，可以在 15 nm 級別可視化位錯缺陷。錯位缺陷的可視化使得過去依賴于工藝工程師的經驗和直覺的工藝工作的定量優化成為可能。
對于2英寸到8英寸的硅晶圓和化合物半導體（GaAs、GaN、InP 等）外延晶圓，可以對載流子遷移率、薄層電阻和薄層電荷密度進行非接觸和非破壞性測量。
COREMA-2000 能夠對硅和化合物半導體進行非破壞性和非接觸式電阻率測量。我們可以處理過去難以處理的超高電阻基板，例如半絕緣材料。
Cn-CV 350 CV/IV 系統基于獲得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于介電和界面特性的非接觸成像。這個旗艦平臺能夠從雙 FOUP 裝載端口裝載站自動處理晶圓，并且能夠在苛刻的大批量生產環境中支持在線測量。
Cn-CV 330/230 CV/IV 系統基于獲得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高級CV/IV 測量，用于監測晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。
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