青島泰潤電子科技有限公司
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銻化銦（InSb）薄膜磁敏電阻SMR芯片
銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產品，是磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件。其阻值R隨垂直通過它的磁通密度B的變化而變化。利用此特性可方便地以磁場為媒介，在非接觸情況下將位移、位置、轉速、角度等非電量轉變成電量，從而對非電量進行測量和控制。
產品簡介
銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產品，是銻化銦薄膜磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件，它具有靈敏度高、可靠性高、性價比高、無接觸測量、頻響寬（ 0 － 100kHz ）、使用方便等特點。在如高速測量、角度控制、位置控制、信號跟蹤等領域，采用銻化銦薄膜磁敏電阻傳感器常常是理想的解決方案。
工作原理
銻化銦薄膜磁敏電阻是利用銻化銦薄膜的磁阻效應而制作的一種新型敏感元件，它的阻值R隨垂直通過它的磁通密度B的變化而變化：B<0.1T時，R∝；B>0.1T時R∝B；B＝0.3T時>2.0，如下圖所示。利用此特性可方便地以磁場為媒介在非接觸的情況下將非電量（如位移、位置、轉速、角位移、壓力、加速度等等）轉變成電量，從而對非電量進行測量和控制。
產品內部芯片構成圖
銻化銦薄膜磁敏電阻的生產采用*的薄膜生產及平面光刻工藝，其圖形、尺寸、阻值可根據需要靈活設計。我公司現有磁敏電阻產品如下：
產品型號及參數
型號 | 尺寸（mm） | 阻值（Ω） | 靈敏度 | 工作溫度 | 工作電流 | 不對稱性 |
MR-L-1 | 3.8×1.8 | 1×（100～2000） | > 2.0 | -20～80℃ | < 15mA |
|
MR-L-2A | 4.5×3.5 | 2×（300～3000） | > 2.0 | -20～80℃ | < 15mA | < 10% |
MR-L-2B | 3.0×2.5 | 2×（300～3000） | > 2.0 | -20～80℃ | < 15mA | < 10% |
MR-L-2C | 7.6×1.8 | 2×（300～3000） | > 2.0 | -20～80℃ | < 15mA | < 10% |
MR-L-4 | 4.6×4.0 | 4×（300～3000） | > 2.0 | -20～80℃ | < 15mA | < 10% |
MR-R-2 | 5.0×4.0 | 2×（800～3000） | > 2.0 | -20～80℃ | < 15mA | < 10% |
產品特點
無接觸測量 體積微小
高信躁比 高可靠性
頻響寬（0－100kHz）
參數含義
典型磁敏電阻芯片實例
技術服務
1、本公司可根據用戶的要求訂制各種規格的銻化銦薄膜磁敏電阻，并組裝成傳感器。
2、本產品的封裝及引腳方式可根據用戶的要求而設計。
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