DaLI無掩膜納米光刻機
用途：基于無掩模光刻技術的各種微納加工
主要特點：采用AOD激光操控技術，光斑定位精度優于1nm，高精度套刻對準，結構邊緣超平滑，可輕松構建1微米以下線寬結構。
簡介：*的AOD激光操控技術，使得DaLI具有超高的激光定位精度（優于1nm），超長的有效壽命，以及*的穩定性。DaLI主要適用于廣泛應用于MEMS、材料科學、微流控、微光學器件及其它微納加工領域。
應用領域：以優于1nm的光斑定位精度，快速完成高精細結構的構建
產品描述：DaLI無掩膜納米光刻機是一款采用亞納米精度激光操控技術為核心的超穩定，桌面型，高精度，高速激光直寫設備。其核心技術已經在在亞納米級精度要求的儀器設備中經過十幾年的應用檢驗。超高精度，和超高穩定性是DaLI無掩膜納米光刻機實現高性能的基礎。
基本特點：
超穩定，長時效375nm激光
相對于其它各種光源，在精密光學儀器應用中，激光光源在光束質量，穩定性，耐用性等方面具有的*性。DaLI無掩膜納米光刻機選用性能*的激光光源，以保證良好的性能和用戶體驗。
廣泛的適應性
DaLI無掩膜納米光刻機廣泛適用于各種I-line光刻膠，AZ系列正膠，SU-8系列負膠等，在各種厚膠與薄膠應用中有著出色的表現。
優異的非平表面直寫功能
不管是平面還是非平表面，刻寫無障礙，刻寫結果依然平滑
整機恒溫系統，保證的性能
DaLI無掩膜納米光刻機采用了超越光刻技術極限的亞納米級AOD激光操控技術，光斑定位精度可達0.1nm。為充分發揮AOD技術的優勢，我們建立了整機恒溫系統，控溫精度可達±0.1℃，將設備所有部件和溫差形變和熱漂移降到級低，從而實現真正的高精度光刻。
準確的圖形結構
大量設計圖與實刻圖可聯系Aresis China銷售人員參看。見文末。
工作范圍與曝光拼接
兩種光斑尺寸可供選擇，兩種直寫光斑也可自動切換：
大光斑直寫工具單個工作區域為900μm X 900μm；
小光斑直寫工具單個工作區域為300μmX 300μm
A. 小光斑直寫工具用于對精度要求較高的圖形構建,光斑直徑1μm
B. 光斑直寫工具適用于大面積高速直寫,光斑直徑3μm
DaLI的軟拼接可以將曝光掃描線延伸到臨近區域，并梯度降低激光強度（紅線）。在臨近區域，激光強度梯度增加（藍線），從而獲得干凈均一的拼接圖案。
用戶友好的操作軟件
DaLI控制軟件通過USB接口與設備快速通訊，可以對設計圖中的區塊和每一個微結構的曝光參數進行設置，對圖形設計的預覽和快速柵格化，對樣品的觀察、準直、調平等。該軟件具備圖形設計和展示功能，可選用多種繪圖工具，支持對 dxf, gerber, bm 等格式文件的導入與修改。
*的AOD技術，定位分辨率優于0.1nm
A. 可以獲得任意平滑、銳利的結構邊緣
B. 可高分辨調整特征結構間的距離
C. 可以實現亞微米級精細結構的構建
多重校準/反饋機制
超高精度的*AOD激光操控技術，使得通過各種校準與反饋機制來提升整機系統的精度和穩定性變得簡單可行。DaLI具有多種校準和反聵機制，無需用戶干預即可完成，為其優異的性能提供更多保障。
基本參數：
基材尺寸DaLI-A基本參數 | 可達100 mm x 100 mm (4’’ x 4’’) |
激光波長 | 375 nm |
激光光斑尺寸 (TEM00) | 1 μm (0.04 Mil) and/或 3 μm (0.12 Mil), 用戶可自選 |
激光光斑定位分辨率 | < 1 nm |
激光直寫速度 | 可至100 000 spots per second |
圖形尺寸 | 可至 1 μm (0.04 Mil) |
數據輸入格式 | DXF, Gerber, BMP |
電源 | 230 V/50 Hz, 100 VA |
設備尺寸 (W x H x D) | 650 mm x 522 mm x 626 mm (25.6” x 20.6” x 24.6”) |
重量 | 80 kg (176.4 lbs) |
集成攝像頭 | 用于樣品檢測和校正攝像頭 |
硬件和軟件的要求配置 | Windows 7, 32 bit or Windows XP, 32 bit with service pack 3,1.3 GHz processor or higher, 2 GB RAM (4 GB recommended), 160 MB of available hard-disk space for installtion， screen resolution min.1024*768 pixles (1600 x 1050 recommended |
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