普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！

半導體參數CV+IV測試儀特點：

30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高,全量程下可達0.03%精度；

內置標準器件測試程序，直接調用測試簡便；

自動實時參數提取，數據繪圖、分析函數；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；

提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導體材料/器件；

有機OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數和霍爾效應測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

半導體參數CV+IV測試儀訂貨信息