E系列功率器件功能高壓測試模塊特點和優勢：

十ms級的上升沿和下降沿；

單臺最大3500V的輸出；

0.1%測試精度；

同步電流或電壓測量；

支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；

產品簡介

高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

應用領域：

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對功率器件功能高壓測試模塊感興趣，歡迎隨時聯系我們！