半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的最佳工具之一是半導體分立器件靜態測試系統，普賽斯半導體分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

半導體分立器件靜態測試設備特點和優勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標全指標的自動化測試；

系統指標

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容     

續流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 
普賽斯半導體分立器件靜態測試設備集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。 

選擇普賽斯儀表的理由

武漢普賽斯是國內最早生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產已經過了市場的考驗、市面有近500臺源表在使用；

普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測試，3500V電壓下可測量皮安級漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。