基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓脈沖源的脈沖I-V特性測(cè)試系統(tǒng)

  整套測(cè)試系統(tǒng)基于普賽斯P系列脈沖源表/CP恒壓脈沖源,配合探針臺(tái)以及專用測(cè)試軟件,可用于GaN  HEMT 、GaAs射頻器件脈沖I-V參數(shù)測(cè)試,尤其是脈沖l-V輸出特性曲線的繪制。

射頻器件脈沖式l-V特性測(cè)試數(shù)字源表

  P系列脈沖源表是普賽斯推出的高精度、強(qiáng)輸出、寬測(cè)試范圍的脈沖式源表,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等多種功能。產(chǎn)品具有直流、脈沖兩種工作模式。最大輸出電壓達(dá)300V,最大脈沖輸出電流達(dá)10A,最大電壓300V,最大電流1A,支持四象限工作,支持線性、對(duì)數(shù)、自定義等多種掃描模式。可用于生產(chǎn)、研發(fā)中的GaN、GaAs射頻材料以及芯片的脈沖式l-V特性測(cè)試。

CP系列脈沖恒壓源

  普賽斯CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測(cè)量;支持多設(shè)備觸發(fā)實(shí)現(xiàn)器件的脈沖l-V掃描等;支持輸出脈沖時(shí)序(如delay.pulse  width、period      等)調(diào)節(jié),可輸出復(fù)雜曲線。其主要特點(diǎn)有:脈沖電流大,最高可至10A;脈沖寬度窄,最小可低至100ns;支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式;支持線性、對(duì)數(shù)以及自定義多種掃描工作方式。產(chǎn)品可應(yīng)用于氮化家、砷化竊等材料構(gòu)成的高速器件的I-V測(cè)試。

  對(duì)于射頻器件的脈沖式l-V特性測(cè)試,其柵極電壓—般在±10V以內(nèi),源、漏端電壓在±60V以內(nèi),脈沖寬度從0.5us~500us不等，占空比為10%或20%。此外，由于器件為三端口類型,因此,至少需2臺(tái)Р源表,或者2通道CP子卡。

脈沖輸出特性曲線測(cè)試

  由于GaN器件材料以及生產(chǎn)工藝限制,存在電流崩塌效應(yīng)。因此,器件在脈沖條件下工作時(shí)會(huì)存在功率下降,無(wú)法達(dá)到理想的大功率工作狀態(tài)。脈沖輸出特性測(cè)試方法為，在器件的柵極和漏極同步施加周期性脈沖電壓信號(hào),柵極和漏極的電壓會(huì)同步在靜態(tài)工作點(diǎn)和有效工作點(diǎn)之間進(jìn)行交替變化。在Vcs和Vos為有效電壓時(shí),對(duì)器件電流進(jìn)行監(jiān)測(cè).研究證明,不同的靜態(tài)工作電壓以及脈寬長(zhǎng)度對(duì)電流崩塌有不同影響。

基于普賽斯CP系列恒壓脈沖源的脈沖S參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

  整套測(cè)試系統(tǒng)基于普賽斯CP系列恒壓脈沖源,配合網(wǎng)絡(luò)分析儀、探針臺(tái)、Bias-tee夾具,以及專用測(cè)試軟件。在直流小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試的基礎(chǔ)上,可實(shí)現(xiàn)GaN  HEMT 、GaAs射頻器件脈沖S參數(shù)測(cè)試。

  武漢普賽斯一直專注于功率器件、射頻器件以及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域電性能測(cè)試儀表與系統(tǒng)開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),帥先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、脈沖大電流源、高速數(shù)據(jù)采集卡、脈沖恒壓源等儀表產(chǎn)品以及整套測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在功率半導(dǎo)體材料與器件、射頻器件、寬禁帶半導(dǎo)體的分析測(cè)試領(lǐng)域。可根據(jù)用戶的需求,提供高性能、高效率、高性價(jià)比的電性能測(cè)試綜合解決方案。更多有關(guān)射頻器件脈沖式l-V特性測(cè)試數(shù)字源表詳情找普賽斯儀表專員為您解答