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半導體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表，普賽斯數字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高...

雪崩光電二極管(APD)是一種具有內部增益的光電二極管,其原理類似于光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓后(在硅材料中一般為100-200V),利用電離碰撞...

VCSEL激光器測試窄脈沖LIV測試系統認準普賽斯儀表，PL系列脈沖電流源超窄至1us的脈寬,大到30A的脈沖電流,兼容CW和QCW模式,豐富的軟件接口，可廣泛...

普賽斯高精度直流大電流源表標準的SCPI指令集，上位機軟件功能豐富、支持二次開發集成，可用于大電流脈沖測試、微弱電流信號測試場景，Z大脈沖輸出電流達10A

半導體器件特性曲線掃描儀認準生產廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表專注于半導體電性能測試領域，基于高精度數字源表綜合實驗平臺，可提供多種實驗測量環境，搭配豐富的測試...

半導體分立器件測試儀+IV曲線掃描認準武漢普賽斯儀表，普賽斯是國內生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產品已經過了市場的考驗、市面有近5...

MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體 器 件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數 字 ...

普賽斯高電壓大電流igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）...

GaN射頻功放IV測試脈沖恒壓源支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測量；主要特點有：脈沖電流大，Z高可至10A；脈沖寬度窄，Z小可低至100ns；支持...

霍爾效應是一種電磁感應現象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻...

普賽斯多表合一數字源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術支持；普賽斯儀表是手家國產數字源表生產廠家，產品已經歷3年迭代完善，對標2400、...

普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態測試系統、大功率激...

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

國產源表哪家好,認準普賽斯儀表,高新企業，普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試...

IGBT靜態參數主要包含:柵極-發射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發射極漏電流lGEs、集電極-發射極截止電流lcEs、集電極-發射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導體測試領域的經典產品!

CP系列GaNGaAs高速器件IV測試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測...

普賽斯半導體功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參...

普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試領域的經典產品！國產新一代S300B數字源...