目錄:揚(yáng)州巨豐電氣有限公司>>高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀>> 絕緣油介質(zhì)損耗測(cè)試儀
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更新時(shí)間：2021-02-23 09:40:47瀏覽次數(shù)：556評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 是 |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
絕緣油介質(zhì)損耗測(cè)試儀，是一種*的測(cè)量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）。它淘汰了QSI高壓電橋，具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印，使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓，抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。體積小、重量輕，是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。
工作原理：
儀器測(cè)量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測(cè)試回路，如圖三所示。
標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成，由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測(cè)試回路的電流幅值及其相位差，并由之算出被測(cè)試品的電容容值（Cx）和其介質(zhì)損耗（tg）。
數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件，采集板和采集計(jì)算機(jī)被鐵盒*浮空屏蔽，儀器的外殼接地屏蔽；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù)，加之計(jì)算機(jī)對(duì)數(shù)百個(gè)電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，故測(cè)量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。
由圖三可見，儀器高壓變壓器的高壓側(cè)和測(cè)量線路都是浮地的，用戶可根據(jù)不同的測(cè)量對(duì)象和測(cè)量需要，靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法”進(jìn)行測(cè)量時(shí)，可將“E”點(diǎn)接地；而當(dāng)采用“反接線法”進(jìn)行測(cè)量時(shí)，可將“UH”點(diǎn)接地，而將E點(diǎn)浮空。
圖中除測(cè)試品Cx外，其余為本儀器。細(xì)線框內(nèi)部分對(duì)儀器外殼能承受15KV工頻高壓5分鐘，額定耐壓10KV。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容CN，名義值為50PF，tgδ≤0.0001，耐壓10KV。高壓變壓器，額定輸出功率為1KVA。
★“E”點(diǎn)為儀器的內(nèi)屏蔽與測(cè)量電纜的屏蔽層相連，不是大地，與儀器的外殼也不連通！
主要特點(diǎn)：
?1、絕緣油介質(zhì)損耗測(cè)試儀，具有正/反接線工作模式。
2、只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯和測(cè)試線，即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量。
3、絕緣油介質(zhì)損耗測(cè)試儀，采用變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)。
4、過(guò)流保護(hù)功能，在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞。
5、內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，減少現(xiàn)場(chǎng)接線。
6、大屏幕液晶顯示器，漢字菜單提示測(cè)試過(guò)程，既直觀又便于操作。
技術(shù)指標(biāo)：
1、環(huán)境溫度：0~40℃（液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照）
2、相對(duì)濕度：30％~70％
3、供電電源：電壓：220V±10％，頻率50±1Hz
4、外形尺寸：長(zhǎng)×寬×高=4900mm×300mm×390mm
5、重量：約18kg
6、輸出功率：1KVA
7、顯示分辨率：4位
8、測(cè)量范圍：
介質(zhì)損耗（tgδ）：0-50％
電容容量（Cx）和加載電壓：
2.5KV檔：≤300nF（300000pF）
3KV檔：≤200nF（200000pF）
5KV檔：≤ 76nF（ 76000pF）
7.5KV檔：≤ 34nF（ 34000pF）
10 KV檔：≤ 20nF（ 20000pF）
9、基本測(cè)量誤差：
介質(zhì)損耗(tgδ)：1％±0.07％（加載電流20μA~500mA）正接
介質(zhì)損耗(tgδ)：2％±0.09％（加載電流 5μA~ 20mA）反接
電容容量( Cx )：1.5%±1.5pF
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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