電容電壓特性測(cè)試儀 型號(hào):THZ24-CV-5000
庫(kù)號(hào)：M408361 查看hh
MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系。 利用實(shí)際測(cè)量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅
電容電壓特性測(cè)試儀 型號(hào):THZ24-CV-5000庫(kù)號(hào)：M408361 查看hh MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有關(guān)系。 利用實(shí)際測(cè)量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動(dòng)電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。 另外作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的數(shù)字的電容測(cè)試儀器，既可用于測(cè)試半導(dǎo)體器件PN結(jié)的勢(shì)壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進(jìn)行Mos電容的外加電壓掃描測(cè)試，還可測(cè)試其它MIS電容。 該電容電壓特性測(cè)試系統(tǒng)由主機(jī)和上位機(jī)（PC）組成，并在軟件控制下完成校準(zhǔn)及測(cè)試等功能，同時(shí)顯示C-V電容電壓特性曲線。主機(jī)面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài)，用數(shù)碼管組成的顯示板，將被測(cè)元件的數(shù)值，小數(shù)點(diǎn)清晰地顯示出來。儀器有分辨率，電容量是五位讀數(shù)，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。 儀器配有CV-5000型測(cè)量座，接插元件方便。 本儀器測(cè)量操作簡(jiǎn)便。可應(yīng)用于元件廠，科研部門，高等院校等各個(gè)部門。CV-5000型電容電壓特性測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有測(cè)試界面的用戶程序，程序操作易用。測(cè)試程序在計(jì)算機(jī)與CV-5000型電容電壓特性測(cè)試測(cè)試儀連接的狀態(tài)下，通過計(jì)算機(jī)的USB口實(shí)現(xiàn)通訊。 測(cè)試程序控制電容電壓特性測(cè)試測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形記錄、顯示出來。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。 技 術(shù) 指 標(biāo) ： 測(cè)試信號(hào)頻率 1.000MHz±0.01%； 測(cè)試信號(hào)電壓 小于或等于100mVrms； 電容測(cè)量范圍 1.000pF～5000.0pF； 工作 ±3.0%±2字； 直流偏壓 -35V～+35V（可擴(kuò)展），由軟件按設(shè)定步進(jìn)電壓值輸出偏置電壓； 軟件功能 由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點(diǎn)的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線；軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。 電腦通訊接口 USB通訊接口； 應(yīng)用 應(yīng)用于MOS摻雜和PN結(jié)摻雜的C-V特性測(cè)量，也可測(cè)試其它MIS電容等。MOS（金屬－氧化物－半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C－V特性）。C-V曲線與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關(guān)系。 利用實(shí)際測(cè)量到的MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線與理想的MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動(dòng)電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù) 附送實(shí)驗(yàn)樣品 P型MOS實(shí)驗(yàn)樣品、N型MOS實(shí)驗(yàn)樣品、PN摻雜實(shí)驗(yàn)樣品 供電電源 交流電壓：220V±5%； 頻率： 50Hz±5%； 消耗功率：不大于40W； 工作環(huán)境 溫度：0—40℃； 濕度：20%~90%RH 40℃；
