二次離子質譜 IMS 7f
1、眾多獨立分析實驗室的主力軍
2、通用磁扇區二次離子質譜儀：比飛行時間（TOF）SIMS要快，比四級桿
SIMS質量分辨率要高
3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級
4、痕量元素深度剖析：亞微米級橫向分辨率，納米級深度分辨率
二次離子質譜概述
- 一定能量的離子打到固體表面會引起表面原子、分子或原子團的二次發射，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主，其中有一部分帶有正、負電荷，這就是二次離子。利用質量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質譜。根據濺射的二次離子信號，可對被轟擊樣品的表面和內部元素及分布特征進行分析。
- 二次離子質譜儀主要用于材料學（半導體、薄層、絕緣材料等）、地質空間學、天體化學、環境微生物學和細胞學。
- 主要功能：
質譜分析-表面微區元素組成
痕量元素深度剖析
二次離子成像及顯微圖像分布（2＆3D）
穩定同位素豐度比
放射性顆粒分析
地質定年
二次離子質譜 IMS 7f
1、眾多獨立分析實驗室的主力軍
2、通用磁扇區二次離子質譜儀：比飛行時間（TOF）SIMS要快，比四級桿
SIMS質量分辨率要高
3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級
4、痕量元素深度剖析：亞微米級橫向分辨率，納米級深度分辨率
5、高靈敏度痕量元素二次離子顯微圖像（2＆3D）
6、高分析速度高精度的穩定同位素豐度比
7、可增配防輻射裝置，用于放射性樣品分析
8、用于半導體、材料和核能科學、生態環境領域、地質學
- 靈敏度：IMS 7f 工作時的有效離子產率(useful yields- secondary ion detected per atomsputtered)比四極桿分析器高達100倍。做一次通常的深度剖析或者成像分析，以獲得同樣靈敏度所用時間相比，是飛行時間（TOF）類SIMS的千分之一。(或反過來說，同樣的分析時間，TOF SIMS的靈敏度要低達1000倍)。
- 質量分辨: IMS 7f 可以分辨絕大多數質譜中存在的質量干擾，例如，31P與H30Si, 56Fe與28Si or 17O與H16O。這些干擾使得低質量分辨率質譜儀（比如四極桿類型）的探測極限大打折扣。CAMECA的SIMS獲得高質量分辨率的同時并不會降低分析速度，這是TOF質譜儀無法做到的。
- 離子成像：IMS 7f 可以對所選質量給出顯微鏡模式的圖像，分辨率達到一微米。從時間上看，這種模式下獲得圖像的速度比常規的掃描圖像模式(microprobe mode)要高幾個數量級。這種模式下還可以大大縮短調試設備的時長。
- 若想獲得亞微米級分辨率的圖像，CAMECA IMS 7f 需要采用微探針模式，依靠動態光學傳輸以及高亮離子源達到業界zui高水準的靈敏度和分辨率。
高分析效率: A high efficiency optical gate is used to eliminate crater edge effects for combining high sputter rate and high dynamic range in the depth profile mode. Full computer control of the instrument allowing unattended analyses with different analysis recipe
