技術要求
典型數值在27°C
氧化層厚度4000A
輻射Vth靈敏度
輻射場= 0.125 MV/cm : 靈敏度= 1.33mV/rad
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.463mV/rad
（靈敏度在 1.5 krad（H2O），在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA）
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.463mV/rad
（靈敏度在 1.5 krad（H2O），在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA）
溫度補償
TVTC 2.5mV/°C
（該數據出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數值.）
（該數據出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數值.）
線性模式中Z.T.C. 數值~ -500nA
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
飽和模式中Z.T.C.數值~ -1µA
（使用以下讀寫器電路配置）
（使用以下讀寫器電路配置）
預輻射劑量計的特點
閾值電壓（外推） -1.0 +/- 0.4V
Vth漂移時間（秒） 2.5mV/十年
（該數據出自讀寫器配置強迫40µA）
（該數據出自讀寫器配置強迫40µA）
氧化層擊穿電壓~280V
溝道漏電流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 25 pA
亞閾值斜率220 +/- 20 mV/decade
溝道電阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.75 Mohms
北京華恒鑫達科技發展有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動水樣核素活度監測系統、同軸高純鍺探測器GCD系列（液氮致冷）、平面型高純鍺探測器GPD系列（液氮致冷）、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動式高純鍺譜儀（現場使用）、X γ射線高純鍺譜儀（電致冷）、流動式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關電子附件等相關產品。
