化學(xué)束外延系統(tǒng)
化學(xué)束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化學(xué)氣相沉積(CVD)優(yōu)點，可以用來生長III-V族半導(dǎo)體薄膜，也可以用來沉積Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超導(dǎo)氧化物, TiO2, Al2O3, 摻鉺Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO,
CBE已經(jīng)顯示出非常顯著的*性，例如：
1 可控多元薄膜材料的沉積和摻雜，例如GaAsInP.
2 成分梯度可控：在一個襯底上可以按照預(yù)定生長不同成分薄膜材料，從而可以快速研究成分和鍍膜材料性能的關(guān)系，優(yōu)化成分對性能的影響。
3 厚度梯度可控：可以按照預(yù)定的數(shù)學(xué)模型/公式，在一個襯底上生長厚度梯度薄膜，實現(xiàn)不同厚度對薄膜性能的影響研究，從而優(yōu)化厚度對性能的影響。
4 成分和厚度高度均勻性：經(jīng)過成分和厚度的優(yōu)化后，可以外延生長成分和厚度高度均勻的樣品（對于直徑300mm的襯底，不均勻性小于2%.），從而量化生長。
5 可能的生長速率范圍大：通常達(dá)到10 nm/h至10μm/h。
6 高度可重復(fù)性，即使設(shè)備已使用數(shù)年。
7 可以通過（激光、離子）等輔助方式實現(xiàn)3D等復(fù)雜結(jié)構(gòu)薄膜生長。
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