我公司科研人員經過連續技術攻關, 在原有YB6500半導體分立器件自動測試系統基礎上, 自行研發出*臺igbt測試儀,圓滿解決了功率IGBT等新型半導體器件的全參數測試難題,*了國內在半導體自動測試領域的空白,該項產品綜合技術指標達到水平。目前我公司提供的該項新產品采用模塊式功放結構, 主極電流400A/500A/1000A/1250A可選, 2500A/5000A選項可以根據用戶需要定制。
電參數名稱 | 電壓范圍 | 電流范圍 | 分辨率 | 精度 |
ICES IGESF IGESR | 0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2) | 100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A | 1nA(50pA)(1) | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1) |
BVCES | 0.1V-1000V- 1400V - 1600V | 100μA - 200mA -100mA -50mA | 5mV | 1%+100mV |
VGETH | 0.10V- 20.0V(80V)(2) | 100nA- 3A | 5mV | 1%+10mV |
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合參數) | VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V | IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A | 5mV | V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |