一、武漢探針臺分類講解按操作自動化程度分類
1. 手動探針臺（Manual Probe Station）
特點：
所有操作（如晶圓移動、探針定位、接觸測試）均通過手動旋鈕或手柄完成。
結(jié)構(gòu)簡單、成本低（通常為數(shù)十萬元級別），適合實驗室研發(fā)、小批量測試或教學(xué)場景。
精度依賴操作人員經(jīng)驗，測試效率較低，適合對速度要求不高的場景（如科研樣品調(diào)試）。
武漢探針臺分類講解應(yīng)用場景：
高校 / 研究所的半導(dǎo)體器件研發(fā)、新工藝驗證。
中小規(guī)模企業(yè)的樣品測試或失效分析。
2. 半自動探針臺（Semi-Automatic Probe Station）
特點：
部分環(huán)節(jié)自動化（如工作臺電動移動、顯微鏡自動對焦），但探針接觸和測試仍需人工干預(yù)。
精度高于手動臺（通常為微米級），效率適中，成本介于手動與全自動之間。
應(yīng)用場景：
中小型工廠的中試階段測試。
對精度有一定要求但無需全自動化的場景（如射頻器件初步調(diào)試）。
3. 全自動探針臺（Fully Automatic Probe Station）
特點：
全流程自動化：通過計算機控制機械臂、視覺系統(tǒng)和測試儀器，實現(xiàn)晶圓上料、定位、探針接觸、數(shù)據(jù)采集及分選全自動化。
精度較高（亞微米級，甚至納米級），配備 AI 視覺算法實現(xiàn)自動對準，支持批量高速測試（每小時測試數(shù)千顆芯片）。
成本高昂（數(shù)百萬元至千萬元級別），需搭配測試儀器（如半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀）。
應(yīng)用場景：
半導(dǎo)體晶圓廠（Foundry）的量產(chǎn)測試（如邏輯芯片、存儲芯片的晶圓級篩選）。
封裝企業(yè)的裸 Die 測試（如 Flip Chip、SiP 系統(tǒng)級封裝）。
二、按測試信號類型分類
1. 直流探針臺（DC Probe Station）
特點：
用于測試直流或低頻電信號（如電壓、電流、電阻等），探針結(jié)構(gòu)簡單（普通金屬探針）。
對信號完整性要求較低，適合常規(guī)邏輯芯片、模擬芯片的基礎(chǔ)參數(shù)測試。
應(yīng)用場景：
芯片研發(fā)階段的直流特性分析（如晶體管的 I-V 曲線測量）。
量產(chǎn)階段的良品篩選（如檢測開路、短路等基礎(chǔ)缺陷）。
2. 射頻探針臺（RF Probe Station）
特點：
針對高頻信號（如微波、毫米波，頻率可達 110GHz 以上），配備射頻探針（如 GSG 探針，Ground-Signal-Ground 結(jié)構(gòu)）和低損耗信號鏈路，減少信號衰減和電磁干擾。
需考慮阻抗匹配（如 50Ω 標準）、屏蔽設(shè)計（防止外界干擾）和探針寄生參數(shù)（如電感、電容）。
應(yīng)用場景：
通信芯片（如 5G 基站芯片、WiFi 6/7 芯片）的射頻性能測試。
雷達組件（如汽車毫米波雷達芯片）、衛(wèi)星通信器件的高頻特性分析。
3. 光電探針臺（Optoelectronic Probe Station）
特點：
集成光學(xué)系統(tǒng)（如光纖耦合器、激光器、光譜儀），同時測試光信號和電信號的交互特性。
探針包括電探針和光探針，需實現(xiàn)光電對準（如微米級光纖與芯片光波導(dǎo)的耦合）。
應(yīng)用場景：
光電器件測試（如激光器、光電探測器、硅光芯片）。
光通信模塊（如收發(fā)一體芯片 TOSA/ROSA）的光電性能驗證。
三、按測試環(huán)境與功能擴展分類
1. 常溫探針臺（Room Temperature Probe Station）
特點：
在室溫環(huán)境下進行測試，無額外環(huán)境控制模塊，結(jié)構(gòu)簡潔、成本低。
應(yīng)用場景：
大多數(shù)常規(guī)半導(dǎo)體測試（如研發(fā)階段的基礎(chǔ)性能驗證）。
2. 高低溫探針臺（Temperature-Controlled Probe Station）
特點：
集成溫控模塊（如加熱 / 制冷臺），測試溫度范圍通常為 - 196℃（液氮冷卻）至 400℃，部分設(shè)備可達更寬溫區(qū)。
需解決溫度均勻性、熱膨脹系數(shù)匹配（探針與晶圓的熱變形補償）等問題。
應(yīng)用場景：
車規(guī)級芯片（需通過 AEC-Q100 認證）的高低溫可靠性測試。
功率器件（如 IGBT、SiC MOSFET）在高溫工況下的性能評估。
3. 磁場探針臺（Magnetic Field Probe Station）
特點：
配備永磁體或電磁線圈，可施加固定或可調(diào)磁場（如 0-10T），用于測試器件在磁場中的特性（如霍爾效應(yīng)、磁阻效應(yīng)）。
應(yīng)用場景：
磁性存儲器件（如 MRAM、磁傳感器）的研發(fā)測試。
量子器件（如量子比特、拓撲絕緣體）的磁電特性分析。
4. 真空探針臺（Vacuum Probe Station）
特點：
測試腔可抽至真空環(huán)境（如 10?3 Pa 以下），減少空氣分子對器件的干擾（如氣體敏感型傳感器、真空電子器件）。
應(yīng)用場景：
微機電系統(tǒng)（MEMS）器件（如加速度計、陀螺儀）的真空封裝前測試。
場發(fā)射器件（如碳納米管陰極）的真空環(huán)境性能驗證。
四、按適用晶圓尺寸分類
1. 小尺寸探針臺（≤8 英寸晶圓）
應(yīng)用場景：
傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝（如功率器件、傳感器）的小尺寸晶圓測試。
研發(fā)階段的小批量晶圓（如 4 英寸、6 英寸實驗片）。
2. 大尺寸探針臺（12 英寸晶圓）
特點：
工作臺承重更大（需穩(wěn)定支撐 12 英寸晶圓的重量），運動精度要求更高（適應(yīng)制程的微小引腳間距）。
應(yīng)用場景：
主流邏輯芯片、存儲芯片的量產(chǎn)測試（如 12 英寸晶圓的 7nm/5nm 制程芯片）。
五、按行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域分類
1. 半導(dǎo)體晶圓級測試探針臺
核心應(yīng)用：半導(dǎo)體制造流程中的晶圓測試（CP 測試，Chip Probing），篩選良品以降低封裝成本。
2. 封裝測試探針臺
核心應(yīng)用：對封裝后的裸 Die、多芯片模塊（MCM）進行測試，如 Flip Chip 的凸點（Bump）接觸測試、2.5D/3D 封裝的 TSV（硅通孔）互連測試。
3. 科研與材料研究探針臺
核心應(yīng)用：高校、研究所用于新型材料器件（如二維材料晶體管、鈣鈦礦光電器件）的特性分析，支持定制化測試環(huán)境（如氣體氛圍、壓力控制）。
