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  • IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備
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PMDT2010 IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

參考價訂貨量

1000

≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號PMDT2010
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時間2025-05-26
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限3
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量440
  • 人氣值78833
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      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實訓(xùn)平臺等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認可和應(yīng)用是為數(shù)不多進入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的L跑者邁進。







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產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制
武漢普賽斯儀表PMDT系列IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試,能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時和損耗,評估器件的安全工作區(qū),對器件和驅(qū)動電路的短路保護特性進行驗證,測量功率組件的雜散電感
IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備 產(chǎn)品詳情
PMDT系列IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備,2000V/2000A雙脈沖測試范圍,最大12kA短路電流,<20nH超低主回路雜感,<2us過流保護時間

IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

設(shè)備概述

PMDT功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC  MOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試,能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時和損耗,評估器件的安全工作區(qū),對器件和驅(qū)動電路的短路保護特性進行驗證,測量功率組件的雜散電感。設(shè)備既可以用于功率器件選型評估,又可以用于驅(qū)動電路和功率母排的優(yōu)化設(shè)計,能夠幫助用戶開發(fā)性能更優(yōu)化、工作更可靠的電力電子功率平臺。


系統(tǒng)組成
PMDT功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主要由雙脈沖信號發(fā)生器,高分辨率示波器,高壓電流探頭,高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測試驅(qū)動板,可覆蓋開關(guān)參數(shù)測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等,單次測試即可完成開關(guān)特性及反向恢復(fù)特性測試;具備數(shù)據(jù)管理功能,可實時保存測試結(jié)果及波形曲線,自動生成測試報告


系統(tǒng)特點

高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
大電流達2000A(可擴展至6000A)
低寄生電感設(shè)計:<20nH寄生電感
安全防護機制:集成防爆、過流/過壓保護
全功能測試覆蓋:支持DPT、RBSOA、   SCSOA、Qg等參數(shù)
自動化與智能化,負載電感自動切換
溫度范圍廣:可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)
兼容多種封裝,可根據(jù)測試需求定制夾具

IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備測試參數(shù)
開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
關(guān)斷特性:關(guān)斷延時時間td(off)、關(guān)斷上升時間tf、關(guān)斷時間toff、關(guān)斷能量損耗E(off)、關(guān)斷電壓斜率dv/dt、  關(guān)斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
反向恢復(fù)特性:反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err、最大反向恢復(fù)電流Irrm、反向恢復(fù)電壓斜率dv/dt、反向恢復(fù)電流斜率di/dt、反向恢復(fù)電流特性Id  vs.t
短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc  
柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
反偏安全工作區(qū):關(guān)斷電壓尖峰VCE—peak、關(guān)斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具
針對市面上不同封裝類型的功率半導(dǎo)體,如IGBT、SiC、MOS等產(chǎn)品,普賽斯提供整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試

IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備



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