SC2010半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
1.1 系統(tǒng)概述
SC2010半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是一款非常具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管參數(shù)測(cè)試圖示系統(tǒng)，是美國(guó)STI5000系列測(cè)試機(jī)的國(guó)產(chǎn)替代機(jī)型，本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的 I-V 曲線(xiàn)，也可根據(jù)客戶(hù)的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析， IQC 來(lái)料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門(mén)有廣泛的應(yīng) 用。系統(tǒng)生成的曲線(xiàn)都使用 ATE 系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測(cè)試時(shí)間是 6 to 20ms,通常上百 個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線(xiàn)只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來(lái)，數(shù)據(jù)捕獲的曲線(xiàn)可導(dǎo)入 EXCEL 等格式進(jìn)一步分析研究，是一款高效多功能的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
本系統(tǒng)使用方便，只需要通過(guò) USB 或者 RS232 與電腦連接，通過(guò)電腦中友好的人機(jī)界面操作，即可完成測(cè)試。并可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)以 EXCEL 和 WORD 的格式保存。系統(tǒng)提供過(guò)電保護(hù)功能，門(mén)極過(guò)電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測(cè) 試。這些自我測(cè)試診斷被編成測(cè)試代碼,以提供自我測(cè)試夾具,在任何時(shí)間都可以檢測(cè)。對(duì)診斷設(shè)備狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果提供了可靠地保證。
1.2 系統(tǒng)特點(diǎn)
測(cè) 試 電 壓： ≤2KV
測(cè) 試 電 流： ≤100A
電壓分辨率： 1mV
電流分辨率： 0.1nA
測(cè) 試 精 度： 0.2%+2LSB
測(cè) 試 速 度： 約0.5ms/參數(shù)
測(cè) 試 種 類(lèi)： 17大類(lèi)26分類(lèi)的分立器件
測(cè) 試 參 數(shù)： 90%以上靜態(tài)參數(shù)
曲 線(xiàn) 功 能： 非常豐富,并支持曲線(xiàn)簇
測(cè) 試 方 式： 程控脈沖式
脈 沖 寬 度： 300us至5ms
數(shù) 據(jù) 存 儲(chǔ)： 原始數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)
規(guī) 格 尺 寸： 570*450*280mm
1.3 測(cè)試能力
SC2010測(cè)試系統(tǒng)是專(zhuān)為測(cè)試半導(dǎo)體分立器件而研發(fā)設(shè)計(jì)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，能夠真實(shí) 準(zhǔn)確測(cè)試以下類(lèi)型的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列：
序號(hào) | 測(cè)試器件類(lèi)別 | 測(cè)試參數(shù)列表 |
1 | 二極管 DIODE | IR；BVR ；VF |
2 | 晶體管 TRANSISTOR | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEV ； IEBO ；BVCEO ；BVCBO ；BVEBO； HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
3 | J 型場(chǎng)效應(yīng)管 J-FET | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF |
4 | 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET | IDSS ；IDSV；IGSSF； IGSSR ；VGSF ；VGSR ；BVDSS ；VGSTH ；VDSON、 VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS |
5 | 雙向可控硅 TRIAC | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- |
6 | 可控硅 SCR | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH |
7 | 絕緣柵雙極型晶體管 IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS |
8 | 硅觸發(fā)可控硅 STS | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- |
9 | 達(dá)林頓陣列 DARLINTON | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEX ； IEBO ； BVCEO ； BVCER ； BVCEE ； BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON |
10 | 光電耦合器 OPTO-COUPLER | ICOFF 、 ICBO ； IR ； BVCEO ； BVECO ； BVCBO ； BVEBO ； ； CTR ； HFE ； VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) |
11 | 繼電器 RELAY | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME |
12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 ZENER | IR；BVZ；VF；ZZ |
13 | 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR | Vout；Iin； |
14 | 光電開(kāi)關(guān) OPTO-SWITCH | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF |
15 | 光電邏輯 OPTO-LOGIC | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF |
16 | 金屬氧化物壓變電阻 MOV | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； |
17 | 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器 SSOVP | ID+ ID- ；VCLAMP+, VCLAMP- ；VT+ 、VT- ； IH+ 、 IH- ； ； IBO+ IBO-； VBO+ VBO-；VZ+ VZ- |
18 | 壓變電阻 VARISTOR | ID+； ID-；VC+ ；VC- |
19 | 雙向觸發(fā)二極管 DIAC | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, |
1.4 曲線(xiàn)列舉（部分）
MOSFET曲線(xiàn)
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
TRANSISTOR曲線(xiàn)
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V）vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）vs. IC
VBE（SAT）vs. IC
VBE（ON）vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5 應(yīng)用領(lǐng)域
分立器件設(shè)計(jì)廠(chǎng)家、封裝廠(chǎng)、電子產(chǎn)品廠(chǎng)家來(lái)料檢驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)室選型配對(duì)、設(shè)備維修分析、高校器件教學(xué)、研究所參數(shù)選型等等。
