常規屬性
- 采用聚焦離子束轟擊樣品表面，通過控制離子束焦斑在局部區域的駐留時間，來實現表面材料的定量去除，從而實現拋光或表面修整。
- 顯著提升產能
- 薄膜的厚度均勻性可以修正到原子水平，至0.1nm
- 消除了邊緣效應
- 具有ZBE功能，可進行亞納米級去除
- 對樣品材料沒有限制
- 產能與維護在設計時就進行了優化，以降低生產成本
- 可以加工帶有光刻膠的晶圓，具有良好的樣品冷卻配置
* ZBE：zero base etching
系統性能
scia Trim 200 | |
樣品尺寸 | ф200mm |
樣品臺 | 氦冷卻背板對于晶圓為標準靜電夾具而無邊緣遮攔 |
軸向直線運動特性 | 線速度0.5m/s, 線加速度15m/S2 |
| 離子源 | ★ 37mm 圓形射頻源RF37-i，束腰7--15mm （FWHM） ★ 80mm 圓形射頻源RF80-i，束腰12-- 20mm （FWHM） |
中和器 | 熱燈絲中和器N-Fil 或 射頻等離子橋中和器N-RF |
| 參考去除率 | SiO2： 6 x 10-3mm3/s （RF37-i) 11 x 10-3 mm3/s （RF80-i) |
加工后表面精度 | < 0.5nm rms （薄膜修整厚度不均勻性，與初始狀態有關） |
參考產能 | 15 Wafer/h (50 nm Si on 150 mm wafer) |
基礎真空度 | 1x10-6 mbar |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |
標準配置 | 1個工作倉 |
配置選項
- 選配單樣品loadlock或晶圓載具
- 可選組合布局為2個工作倉和晶圓載具
