隨著微電子機械加工系統技術的日趨成熟而為傳感器行業帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質將決定最終產品的性能與等級。以目前國際市場上廣泛采用的硅芯片技術而言，硅壓阻技術加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術加工工藝復雜過壓特性不好；本公司3351J系列單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性優于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國的單晶硅雙梁懸浮式技術，結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點，并從設計與工藝上做出了創新性優化，實現高精度、高穩定性、低溫度影響、超高過壓等優異性能，適用于工業過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫療衛生等多個領域。
一、單晶硅差壓變送器性能特點：
1、高純度單晶硅材質，有效提高產品壽命及長期穩定性
2、雙惠斯通電橋設計，“雙梁”電阻溫度特性互補，提高芯片抗干擾能力
3、LCD帶背光顯示數字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及0~99%模擬指示
4、通過按鍵組合操作能實現調零和調滿功能，以及數據恢復功能，方便了現場調試
5、信號轉換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路（ASICS）使智能變送器具有高穩定、高可靠、高抗震等特點，并具有良好的互換性
二、單晶硅差壓變送器技術參數：
產品型號：SK3351JDP-單晶硅差壓變送器SK3351JDR-單晶硅微差壓變送器
測量原理：單晶硅懸浮式
適用場合：水壓、油壓、氣壓、負壓
測量范圍：-400~400kPa量程可選
測量精度：±0.1%；±0.075%
電源：DC10.5~45V
輸出：DC4~20mA+HART
三、單晶硅差壓變送器產品選型：
| 3351JDR | 微差壓變送器 | ||||||||||
3351JDP | 差壓變送器 | ||||||||||
量程范圍 | 代碼 | 量程單位 | |||||||||
KPa | InH2O | mBar | mmH2O | ||||||||
（根據以下表格中選取代碼） | |||||||||||
輸出信號 | S | 4~20Ma+HART協議 | |||||||||
T | 特殊要求 | ||||||||||
精度等級 | I75 | 0.075%± | |||||||||
I1 | 0.1%± | ||||||||||
I2 | 0.25%± | ||||||||||
顯示方式 | M3 | 液晶顯示 | |||||||||
連接型式及尺寸 | C2 | 丁字形螺紋接頭M20×1.5，帶Ф14焊接引壓管（GP型） | |||||||||
SF | 配三閥組 | ||||||||||
Y | 用戶約定 | ||||||||||
安裝支架型式（GP型） | B1 | 管裝彎支架 | |||||||||
B2 | 板裝彎支架 | ||||||||||
B3 | 管裝平支架 | ||||||||||
隔爆等級 | B | ExdiiCT6 | |||||||||
四、工作壓力：
| 型? 號 | 膜盒 | 工作壓力 |
DR微差壓變送器 | DR1（1KPa） | 1.5MPa |
DR2（6KPa） | 2MPa | |
DP中靜壓差壓變送器 | M1~M6 | 25MPa |
DX大量程差壓變送器 | L1（2MPa） | 25MPa |
L2（4MPa） | 20MPa | |
L3（10MPa） | 20MPa | |
HP高靜壓差壓變送器 | HP1~HP6 | 40MPa |
DPS低靜壓差壓變送器 | S1（10KPa） | 2MPa |
S2（20KPa） | 3.5MPa | |
S3（40KPa） | 3.5MPa | |
S4（100KPa） | 7MPa | |
S5（200KPa） | 7MPa | |
S6（500KPa） | 7MPa |
