B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)
B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)適用于IC封裝，半導體，微電子芯 片，磁性材料及其它電子零件進行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速 壽命信賴性試驗，使用于在產品的設計階段，用于快速暴露產品的缺陷和 薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫 度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設定）給被測元件施加一定的偏置電 壓。同時控制系統(tǒng)實時檢測每個材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預先設定， 當被測材料實時漏電流超出設定時，自動切斷被測材料的電壓，可以保護 被測元件不被進一步燒毀。
應用于二極管，三極管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各種封裝 形式的射頻場效應管、射頻功率器件進行溫濕度下反偏試驗 。
適用于IC封裝，半導體，微電子芯 片，磁性材料及其它電子零件進行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速 壽命信賴性試驗，使用于在產品的設計階段，用于快速暴露產品的缺陷和 薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫 度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設定）給被測元件施加一定的偏置電 壓。同時控制系統(tǒng)實時檢測每個材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預先設定， 當被測材料實時漏電流超出設定時，自動切斷被測材料的電壓，可以保護 被測元件不被進一步燒毀。
應用于二極管，三極管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各種封裝 形式的射頻場效應管、射頻功率器件進行溫濕度下反偏試驗 。
適用于IC封裝，半導體，微電子芯 片，磁性材料及其它電子零件進行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速 壽命信賴性試驗，使用于在產品的設計階段，用于快速暴露產品的缺陷和 薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫 度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設定）給被測元件施加一定的偏置電 壓。同時控制系統(tǒng)實時檢測每個材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預先設定， 當被測材料實時漏電流超出設定時，自動切斷被測材料的電壓，可以保護 被測元件不被進一步燒毀。
應用于二極管，三極管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各種封裝 形式的射頻場效應管、射頻功率器件進行溫濕度下反偏試驗 。
