Talint EDU: 模塊化、高性價比的X射線相襯、暗場成像套件
X射線相位襯度成像和傳統的X射線吸收成像相比，X射線相位襯度成像能夠為輕元素樣品提供更高的襯度，特別適合用于對軟組織和輕元素構成的樣品進行成像。
目前，主要的5類相襯成像方式中，大部分對光源的相干性要求，只能在同步輻射光源或者借助微焦點X射線源實現。而光柵法相襯成像，經過十多年的發展，已經成為在實驗室實施相襯成像實驗的主流技術路線。
但是，高深寬比和大視場光柵的制作一直是困擾研究人員的一個痛點，LIGA技術的出現及成熟，使得制作此類的光柵的制作變得更加的容易及可靠。
基于X射線相襯成像的光柵利用Talbot自成像效應來獲取有關X射線因折射和散射而產生的微小角度偏轉的信息。這在醫學成像到材料研究等各個領域都有潛在的應用。
但是對于剛進入這一研究領域的科研工作者或者想單純快速相襯圖片的用戶來說，繁瑣的光柵參數模擬、全新開模制作光柵價格昂貴、與此同時精密平移臺的選擇及精密調節都將耗費大量的精力。
為了解決的這個問題，德國microworks公司推出了一套模塊化、高性價比的X射線相襯、暗場成像套件
TALINT EDU
Microworks的TALINTEDU系統是一種緊湊、物美價廉的TALbot干涉儀套件。它是X射線Talbot-Lau干涉儀的巧妙簡化形式，包括所有必要的硬件來建立和微調干涉儀，以及通過相位步進步驟來獲得三種成像模式應用：吸收成像、相襯成像和暗場成像。
在不到半小時的時間內，它可以像另一個探測器一樣容易安裝。 對于這個簡化的系統來說圖 像采集是手動的，在相位步進過程中獲得的圖像非常適合于圖像分析科學家。
選擇光柵組 （含3塊光柵）
| 標準規格參數 | 設計能量-40 keV | 設計能量-21 keV |
| 光柵周期（3塊） | 6.00μm | 4.80μm |
| G0 G2 吸收材料及高度 | 金＞150μm | 金＞50μm |
| G0 G2 光柵占空比 | 0.55（容差范圍0.5-0.6） | 0.55（容差范圍0.5-0.6） |
| G0 G2 光柵襯底 | 石墨 400μm | 石墨 400μm |
| G1 相移材料及高度 | Gold 7.7 μm (40 keV) | Nickel 7.4 μm (21 keV) |
| G1 光柵占空比 | 0.5（容差范圍0.45-0.55） | 0.5（容差范圍0.45-0.55） |
| G1 光柵基底 | 硅 200μm | 硅 200μm |
| 視場范圍（樣品） | 35mm | 35mm |
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CFRP拉伸試驗試棒
| 吸收像 | 相位像 | 暗場像 |
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相襯成像增強了空腔折射信號的成像襯度
暗場成像增強了由纖維束引起的散射信號的成像襯度
裂紋損傷
| 吸收像 | 暗場像 |
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暗場成像增強了發絲狀裂紋散射信號的成像襯度
3D打印鈦波紋管
| 照片 | 吸收像 | 暗場像 |
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暗場成像增強了殘留粉末散射信號的成像襯度
