1、最真實的信號呈現

SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比，在100MHz時CMRR高達112dB、在500MHz時CMRR仍然高達100dB，是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

2、的測試精度

作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判，測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭，具有的幅頻特性，直流增益精度優于1%，全量程范圍內1.41mVrms底噪，預熱后零點漂移小于500μV。

3、第三代半導體的測試手段

第三代半導體器件由于導通與關斷時間很短，信號具有更快的上升沿和下降沿，信號中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在帶寬時，仍然具有近100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產生的震蕩，所呈現的信號沒有額外多余成分，是第三代半導體測試的。

4、測試氮化鎵（GaN）不炸管

SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容小于3pF，測試氮化鎵（GaN）十分安全。

5、使用靈活

SigOFIT光隔離探頭比傳統高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便。

6、測試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測試±1.25V至±2500V的差模信號，并實現滿量程輸出，達到很高的信噪比。

7、高效便捷

SigOFIT光隔離探頭響應快，上電即測，校準時間小于1秒，可實時保證精確的信號輸出。

8、應用場景

對其他電壓探頭所測結果準確性、真實性存在質疑時，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據。

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