獨立的MAPLE PLD系統(tǒng)
有機和聚合物薄膜的沉積
在同一室的附加沉積源(可選): 脈沖電子沉積(PED)，射頻/直流濺射和直流離子源
Load-lockable襯底階段
與XPS分析系統(tǒng)集成，直接將晶片從PLD系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到分析系統(tǒng)
激光 MBE 是普遍采用的術(shù)語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電 子衍射（RHEED）的聯(lián)合應用，用戶提供了類似于 MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。 正確的設計是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因數(shù) RHEED 通常在高真空環(huán)境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD 采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，維持 RHEED 電子槍的工作壓力，同時保持 500 mTorr 的 PLD 工藝壓力。同時，設計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束 的影響是至關(guān)重要的。Neocera 激光 MBE 系統(tǒng)可以添加客戶定制系統(tǒng)，比如超高真空激光襯底加熱器，用于集成原位分 析系統(tǒng)（XPS/ARPERS 等）。樣品可以簡單地從激光 MBE/PLD 系統(tǒng)傳送到超高真空 XPS/ARPERS 系統(tǒng)。
