一、介紹：
基于自混干涉技術的激光測振儀的構造要比傳統的多普勒效應的激光測振儀簡單得多。從半導體二極管出來的激光打到反射或散射表面后，一小部分背反射或背散射的光再次進到激光腔體，然后產生干涉信號，從中可以得到被測表面法向方向的位移 。
VSM-1000-MICRO采用兩種激光。測量振動的激光是紅外（波長1550nm），不可見的。紅外和不可見激光是*的眼睛安全的。另外一個紅色的指示激光是為不可見的紅外激光對中之用。為了不占滿攝像機，紅色指示激光的功率減到1mw，光斑大小為10um.激光測振儀被附在顯微鏡的特殊調節架上，邊通濾波鏡主要用以紅外激光和可見激光的反射，然后分別聚焦到測試目標上。濾波鏡能夠傳遞20%從測試表面上散射回來的光，并且在CMOS攝像機的傳感器上聚焦。為了能對中方便，顯微鏡裝在一個俯仰、傾斜和旋轉位移臺上。顯微鏡激光測振儀測量測試表面的法向分量的振動。
二、技術指標：
1.激光類型 ：
Pout < 1="" mw="" @="" 650 nm="">
Pout < 15="" mw="" @="" 1310 nm="">
2.激光等級：
· Class 2 @ 650 nm (可見)
· Class 1M @ 1310 nm (不可見)
激光頭尺寸：50 mm x 70 mm x 105 mm
控制單元尺寸：12.5 cm x 15.5 cm x 29.6 cm
3.彩色攝像機指標：
130萬像素(1280 x 1024) 黑白，彩色和近紅外CMOS傳感器
像素 ：1280 x 1024 Pixels
工作距離： 21.7 mm
激光深度： 0.048 mm
光斑直徑： 4.0 µm
范圍：300um x 250 um (X50目鏡)
4.激光測振儀指標：
量程： 1 mm (p-p)
頻率范圍：0-35MHz）
分辨率： 0.2 nm s–1/√Hz
精度 ：+-1% (0-35MHZ)
三、應用領域 ：
本產品適用于硅片、IC、LCD、TFT、PCB、MEMS激光加工、晶片測試、半導體材料、線束加工蝕刻、液晶電池蓋、導線框架等產品的檢查觀察。
也適用于幾何形狀的顯微觀測，并且有三維的計量功能。因此是精密零件，集成電路，半導體芯片，光伏電池，光學材料等行業的儀器。
