FT-351高溫四探針電阻率測試系統
一、概述：
采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統與高溫試驗箱結合配置專用的高溫測試探針治具，滿足半導體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求，通過*的測控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導率數據的變化曲線，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。
二、適用行業：
廣泛用于：生產企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻、電阻率和電導率數據.
三、功能介紹：液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結構合理、質量輕便，運輸安全、使用方便；配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成報表；
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。
測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.
雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。
四、技術參數資料
1.方塊電阻范圍：10-4～2×105Ω/□
2.電阻率范圍：10-5×106cm
3.測試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA
4.電流精度：±0.1%讀數
5.電阻精度：≤0.3%
6.顯示讀數：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導率
7.測試方式: 雙電測量
8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<30W
9.整機不確定性誤差: ≤4%（標準樣片結果）
10. 溫度： 1200℃可調節；沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C
11、升溫速度：9999分鐘以內自由設定,一般10分鐘內即可升到900℃；功率：3kw.
12、爐膛材料：采用復合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征。
13.專用測試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數據！
14.選購：電腦和打印機
FT-351高溫四探針電阻率測試系統
FT-351 high temperature four probe resistivity test system
一.概述：overview
采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統與高溫箱結合配置專用的高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數據的處理和測量控制，滿足半導體材料的電導率對溫度變化測量要求，*的測控軟件實時繪制出溫度與電阻，電阻率，電導率數據的變化曲線圖譜，及過程數據值的報表分析.
Adopt four probe double electric combination test method to test square resistance and resistivity system . Combined with high temperature box for special high temperature four-point probe test probe jig with PC software for data processing and measurement control. Meet the test requirements of the conductivity of the semiconductor material to temperature change. Advanced measurement and control software to Real-time render the change curve of temperature and resistance, the resistivity, the electrical conductivity data,ａnd process data values statement analysis.
二.適用行業：Applicable industry:
廣泛用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據.
Is widely used in: Corporate. colleges and universities and scientific research departments of conductive ceramics. silicon. germanium single crystal (bar. wafer) resistivity. The determination of silicon epitaxial layer and diffusion layer and ion implantation of square resistance as well as the measurement of conductive glass (ITO) and other new materials such as conductive films square resistance and resistivity and conductivity data.
雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。
The double electric four-point probe is used to measure the four probes in a straight line.The design conforms to the national standard of the single-crystal silicon physical test method and the American A.S.T.M standard.
三.型號及技術參數Models and technical parameters：
規格型號Models | FT-351A | FT-351B | FT-351C |
1.方塊電阻范圍sheet resistance | 10-5～2×105Ω/□ | 10-6～2×105Ω/□ | 10-4～1×107Ω/□ |
2.電阻率范圍resistivity range | 10-6～2×106Ω-cm | 10-7～2×106Ω-cm | 10-5～2×108Ω-cm |
3.測試電流范圍test current range | 0.1μA.μA.0μA，100µA，1mA，10mA，100 mA | 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA | 10mA ---200pA |
4.電流精度current accuracy | ±0.1%讀數 | ±0.1讀數 | ±2% |
5.電阻精度resistance accuracy | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤10% |
PC軟件界面 PC software interface | 顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率 LCD: resistance.resistivity. sheet resistance. temperature.unit conversion. temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness | ||
7.測試方式test mode | 雙電測量Double electrical measurement | ||
8.四探針儀工作電源working power | AC 220V±10%.50Hz <30W
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9.整機不確定性誤差/ machine uncertain errors | ≤3%（標準樣片結果 standard samples） | ≤15% | |
溫度(選購)Highest temperature (choose and buy) | 常溫 Normal temperature -400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃ | ||
氣氛保護（氣體客戶自備） Atmosphere protection(Gas was provided by customers themselves) | 常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態的單原子分子 The usual gases are: helium (He). neon (Ne). argon (Ar). krypton (Kr). xenon (Xe). and radon (Rn). all in colorless. odorless. gaseous monatomic molecules. | ||
溫度精度 Temperature precision | 沖溫值 Blunt temperature values：≤1-3℃；控溫精度 control precision：±1°C | ||
升溫速度： rate of temperature increase | 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 About 15 minutes at room temperature to 400 ℃. 800 ℃;800 ℃ to 1200 ℃ need 30 minutes;1400 ℃ to 1600 ℃ to 250 minutes. 300 minutes | ||
高溫材料 High temperature material | 采用復合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征Adopt composite ceramic fiber material. have vacuum forming. high temperature not drop powder | ||
PC軟件 PC software | 專用測試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數據！One set Special test PC software. USB communication interface. software interface synchronization display. analysis. save and print data! | ||
電極材料 Electrode materials | 鎢電極或鉬電極 Tungsten electrode or molybdenum electrode | ||
探針間距 The probe spacing | 直線型探針，探針中心間距：4mm；樣品要求大于13mm直徑Linear probe. probe center spacing: 4mm;Sample requirements are greater than 13mm diameter | ||
標配外（選購）： Except standard configuration (optional) | 電腦和打印機1套；2.標準電阻1-5個； 1 . One set computer and printer 2.Standard resistance 1 to 5pcs | ||
高溫電源： High temperature power | 供電：400-1200℃ 電源220V，功率4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V；功率9KW： Power supply: 400-1200 ℃ power 220 v. 4 kw power;380 v;1400 ℃ to 1600 ℃ power supply380V ; power 9KW | ||
