產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,凈化占地面積小,造型美觀、實(shí)用,操作符合人機(jī)工程原理。
適用于2”-8”基片的半導(dǎo)體清洗工藝中,有效去除硅/晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破壞晶片表面特性。根據(jù)不同清洗工藝配置相應(yīng)的清洗單元,各部分有獨(dú)立控制,隨意組合;可根據(jù)用戶要求配置氮、DI水槍、恒溫水浴、熱臺(tái)、超聲清洗、DI水在線加熱裝置、DI水電導(dǎo)率測(cè)試儀器等。設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,凈化占地面積小,造型美觀、實(shí)用,操作符合人機(jī)工程原理。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1、爐前清洗:擴(kuò)散前清洗。
2、光刻后清洗:除去光刻膠。
3、氧化前自動(dòng)清洗:氧化前去掉硅片表面的沾污物。
4、拋光后自動(dòng)清洗:除去切、磨、拋的沾污。
5、外延前清洗:除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面鈍化前清洗:除去鋁布線后,表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/span>
7、離子注入后的清洗:除去光刻膠,SiO2層
8、擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗:除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。
9、外延前清洗:除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。
10、CVD后清洗:除去CVD過程中的顆粒。
*技術(shù)細(xì)節(jié)變動(dòng)之處,恕不另行通知,具體設(shè)備參數(shù)以咨詢結(jié)果為準(zhǔn)。