德國BATOP公司的單晶砷化鎵基底產(chǎn)品主要分為：寬帶鍍金膜反射鏡，AlAs / GaAs布拉格反射鏡，900nm長通濾光片。
AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質(zhì)量外延薄膜層。
如果需要尺寸只有幾毫米的反射鏡或長通濾波器，那么可以在單晶砷化鎵襯底上生產(chǎn)這種裝置。單晶砷化鎵的熱導(dǎo)率非常好，高達(dá)55w / (m * k) ，由于其立方晶體結(jié)構(gòu)，可以被切割成小的矩形晶片。
如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡，那么鍍金的GaAs芯片是合適的。 作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導(dǎo)熱率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長的增加，反射率還會不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡，標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450μm
可用芯片面積：
4.0mmx 4.0mm
2.0mmx 2.0mm
1.3mmx 1.3mm
根據(jù)要求定制尺寸
型號 | 規(guī)格 | 價格 |
Au-M-4x4 | ? Thin gold film on single crystalline GaAs | € 70 |
Au-M-2x2 | ? Thin gold film on single crystalline GaAs | € 60 |
Au-M-1.3x1.3 | ? Thin gold film on single crystalline GaAs | € 50 |
如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡，那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好熱導(dǎo)率。方便切割成各種尺寸，海納光學(xué)提供標(biāo)準(zhǔn)基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡
可用芯片面積：
4.0mmx 4.0mm
2.0mmx 2.0mm
1.3mmx 1.3mm
根據(jù)要求定制尺寸
型號 | 規(guī)格 | 價格 |
B-M-1030nm-4x4 | ? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs | € 70 |
B-M-1030nm-2x2 |
| € 60 |
B-M-1030nm-1.3x1.3 | ? Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs | € 50 |
長通吸收濾光片是用來去除長波長激光信號中的短波長光(例如剩余的泵浦光)。
我們的長通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導(dǎo)體吸收層。這種晶圓材料可以根據(jù)客戶的需要切成長方形的小片。 短波長的光被濾光片吸收，然后轉(zhuǎn)換成熱量。為了去除熱量，必須使用適當(dāng)?shù)慕饘侔惭b件如散熱器。BATOP提供標(biāo)準(zhǔn)基片厚度為625μm的未安裝長通濾波器。
可用芯片區(qū)域:
5.0 mm x 5.0 mm
4.0毫米 x4.0毫米
2.0 mm x 2.0 mm
LPF-900-5x5 | LPF-900-4x4 | LPF-900-2x2 |
在GaAs襯底上使用900 nm長通濾波片 | GaAs襯底上900 nm的長通濾波片 | GaAs襯底上的900 nm長通濾波片 |
阻帶λ<880 nm | 阻帶λ<880 nm | 阻帶λ<880 nm |
通帶λ> 950 nm | 通帶λ> 950 nm | 通帶λ> 950 nm |
芯片面積：5 mm x 5 mm | 芯片面積：4 mm x 4 mm | 芯片面積：2 mm x 2 mm |
芯片厚度：625μm | 芯片厚度：625μm | 芯片厚度：625μm |
1 / 2"或1"銅散熱器，或定制尺寸
LPF-900-5x5-12.7gc | LPF-900-5x5-25.4gc |
1/2“銅散熱片上的900nm長通濾波器 | 1英寸銅散熱片上的長通濾波器900nm |
芯片面積5mmx 5mm | 芯片面積5mmx 5mm |
散熱片外徑12.7mm | 散熱片外徑25.4mm米 |
中心孔直徑4mm的散熱片 | 中心孔直徑4 mm的散熱片 |
安裝方法：膠合 | 安裝方法：膠合 |
AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質(zhì)量外延薄膜層，用于 GaAs 晶片的不同應(yīng)用。某些應(yīng)用需要快速時間響應(yīng)器件，如光學(xué)探測器、飽和吸收器或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延的生長設(shè)備，響應(yīng)時間約為1 ps。BATOP提供的GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的砷化鎵。
GaAs（砷化鎵）晶圓直徑: 2"或4"
大膜層厚度: 5μm
2"(50.8mm) LT-GaAs 晶圓: 2000歐元
4"(100mm) LT-GaAs 晶圓片: 3500歐元
4"(100mm) LT-InGaAs 晶圓: 4000歐元
4"(100mm) LT-GaAs 晶片，定制金屬結(jié)構(gòu): 7000歐元
關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn) 過濾器
