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公司介紹主營產品

上海尖豐光電技術有限公司是專業從事光電領域內儀器設備代理與系統集成業務的綜合性服務商，主要代理國內外品牌激光、光纖通信，光電子，光學儀器等光電產品的設計、引進、研發，技術咨詢及銷售。目前我們代理的國內外光電儀器，均為各自領域內的技術優勢產品。

我們的客戶覆蓋各高校、*所屬各研究所、*各研究所、航空工業總公司各研究所、光電產業等不同領域。我們可以為用戶提供國外原廠生產的各類標準產品。我們也愿意根據用戶的具體要求，提供專業級光電實驗室解決方案的設計。
團隊核心人員具有在行業內10年以上的激光光電子領域工作經驗，保持對各應用領域較早研究動向的了解，從而能夠結合我們的經驗和儀器設備的技術特點，按照廣大用戶的不同應用要求，提供準確、*的各種儀器或系統解決方案。
我們核心競爭力在于：

專業服務：扎實的理論基礎、豐富科研實踐經驗和良好的服務品質，我們和眾多高校、科研院所和公司有著良好的合作關系。我們不僅為您提供高質量的產品和優質的專業服務，更提供令您滿意的解決方案。
交貨及時：高效快捷的進口以及代理流程，以豐富經驗力爭讓用戶在Z短的時間內收到訂購的儀器
敬業精神：我們通過與客戶的充分溝通，盡可能滿足客戶的需求;我們不會因為訂單大小而區別對待客戶; 此外公司還為各院校及研究所提供散單、零采業務。我們歡迎客戶委托我們向國外廠商進口儀器，從而把客戶從繁瑣的進口手續中解放出來。
性價比高：我們會以*惠的價格為您提供符合您要求的產品

我們的宗旨是：客戶的支持和鼓勵是我們不斷成長壯大的源泉！

我們的合作伙伴：

美國Qioptiq, Electrophysics, Optiphase, Optometrics, SP(spectral products), TTI, Bati, Covega , Eospace, Fiber guide, General Products, GPD, Modu laser, OFR, REO, Roithner laser,
德國Alphalas, ALS, Batop, Edge-wave, Linos, Nanoplus, Pyrosensor
英國Point-source, Oxford, Phoenix Photonics ,Covesion, Leysop
俄羅斯Electrooptic, Superlum, Tydex, Avesta, Cradley
加拿大MPB , OZ, O-E land, IVG fiber
法國Keopsys 日本Fiberlabs, NEL
中國臺灣HCP, 新加坡Denselight, 波蘭Vigo, 荷蘭OKO等多個廠商

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產品簡介在線詢價

關于德國Moltech公司：

THz晶體,太赫茲晶體-激光器件產品詳情

THz晶體MolTech(THz crystals)

品牌: 德國MolTech

關于德國Moltech公司：

德國Moltech公司位于柏林，專注于激光材料，激光介質，激光晶體，太赫茲晶體，法拉第隔離器的研發制作。Moltech公司的THz晶體廣泛為中國的客戶使用和好評。

一、ZnGeP2晶體

特點和應用
ZnGeP2(磷鎵銀)單晶有著大的光學非線性系數和*的激光損傷閾值，是用于中紅外和太赫茲波段非常高效的非線性光學材料。ZGP晶體具有正雙折射效應，因此它可以用于0.75-12μm波長范圍的相位匹配頻率轉換?？梢詫?.06mm光與CO2激光混合，實現到近紅外波段的上轉換。

THz晶體

透過范圍(μm)	0.75 – 12.0
點群	42m
密度(g/cm3)	4.12
摩氏硬度	5.5
反射系數
2.00 μm	no = 3.1490; ne = 3.1889
4.00 μm	no = 3.1223; ne = 3.1608
6.00 μm	no = 3.1101; ne = 3.1480
8.00 μm	no = 3.0961; ne = 3.1350
10.00 μm	no = 3.0788; ne = 3.1183
12.00 μm	no = 3.0552; ne = 3.0949
非線性系數(pm/V)	d36 = 68.9(10.6μm處),d36 = 75.0(9.6μm處)
損傷閾值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)
損傷閾值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)

二、GaSe晶體

THz晶體

特點和應用：

GaSe（硒化鎵）具有非線性系數大，損傷閾值高和透過范圍寬三重優勢，是一種非常適合作中紅外光二次諧波的非線性光學單晶。

GaSe可以用于CO2激光器的倍頻，上轉換CO和CO2激光射線到可見范圍。

GaSe還可以用于太赫茲射線的產生

典型參數：

透過范圍(μm)	0.62 – 20
點群	6m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格參數	a = 3.74, c = 15.89 ?
摩氏硬度	2
反射系數
5.3 μm 處	no= 2.7233, ne= 2.3966
10.6 μm 處	no= 2.6975, ne= 2.3745
非線性系數(pm/V)	d22 = 54
離散角	4.1°(5.3 μm)
損傷閾值(MW/cm2)	28 (9.3 μm, 150 ns); 0.5 (10.6 μm, in CW mode); 30 (1.064 μm, 10 ns)

三、AgGaS2 ( AGS)晶體

AGS (硫鎵銀) 對于紅外射線來講,是一種非常高效的倍頻晶體,尤其是10.6μm的CO2激光器, 雖然其非線性系數很低,但是它在550nm附近非常高的短波透過率在YAG泵浦的OPO有廣泛應用,還可應用于中紅外波段的混頻系統波長范圍從4.0到18.3 μm, 通過差頻實現紅外波段光輸出。

透過范圍(μm)	0.47 - 13
點群	4m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格參數	a = 5.757, c = 10.311 ?
摩氏硬度	3.0 - 3.5
反射系數
5.3 μm	no = 2.4521; ne = 2.3990
3.0 μm	no = 2.4080; ne = 2.3545
5.3 μm	no = 2.3945; ne = 2.3408
10.6 μm	no = 2.3472; ne = 2.2934
12 μm	no = 2.3266; ne = 2.2716
10.6 μm 處	no= 2.6975, ne= 2.3745
非線性系數(pm/V)	d36 = 12.5
離散角	0.76° at 5.3 μm

四、KTiOPO4(KTP)晶體

KTP（磷酸鈦氧鉀）是一種優質的非線性晶體，它光學質量高，透過范圍寬，二次諧波轉換效率是KDP的三倍以上，損傷閾值高，離散角小。KTP是倍頻Nd：YAG激光器及其它摻釹激光器合適也是應用泛的晶體。

應用：

l 1.064μm光的二倍頻發生器

l 近紅外波段的光參振蕩器

l 近紅外波段的差頻發生器

五、THz晶體-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

產品介紹：其中GaP(磷化鎵)有一個能發出可見光的能代間隙,只不過它是間接能帶半導體。當它同GaAs結合形成GaAs1-xPx合金時,就便成了既直接又具有發光能帶間隙的物質了。GaP還可用于制作發光二極管，它能夠發出綠光。

InP(磷化銦)主要應用于光纖通訊設備,尤其是半絕緣的InP晶片很可能成為光電二極管的主流產品,應用于高速通訊設備，其傳輸速度能達到40Gbps。InP還有望用于對傳輸速度要求更高的下一中。

參數：

材料	InP	InSb	InP: Fe	InP:Zn	GaP	GaAs:Te	GaAs:Zn	GaAs 多晶
阻抗, om.cm	0.03 - 0.2	-	1x10⁶- 2x10⁷	-	-	-	-	-
直徑	-	-	1,011 - 1,2511	1,011 - 1,2511	-	12,511	1,511	-
軸向	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	-100	-	-
載流子濃度, cm^-3	(0.8 - 2.0) x 10¹⁵	(8 - 30) x 10¹³	-	(0.2 - 1.0) x 10¹⁸	(4 - 6) x 10¹⁶	2 x 10¹⁷	1.0 x 10¹⁹	2 x 10¹⁵
靈敏度, cm²/V.Sec	3500 - 4000	-	-	50 -70	-	4500	-	5200
生長技術	-	可參雜	-	-	可參雜	-	Cz	Bridjman

六、THz晶體-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

介紹：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均為寬帶半導體。其中ZnTe,ZnS可利用全固態可調諧雙波長光源在非線性晶體中二階光學混頻方法產生太赫茲光。CdxZn1-xTe(CZT/碲鋅鎘)半導體單晶是發展遠紅外,可見光,X-射線探測器,γ射線探測器的重要材料。CZT射線探測器具有吸收系數大，結構緊湊，室溫操作等優點。而現在工業和醫療方面產用的高純Ge和Si的探測器，只能工作在液氮溫度下。CZT已經成為硬X射線和γ射線的一種關鍵技術。天文學方面用CZT陣列去研究宇宙中的高能γ射線源。

材料

ZnS

CdS

ZnSe

Zn_xCd1_-xS

CdS

CdSe

CdS_xSe_1-x

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生長法

PVT

melt

PVT

晶種氣相法

直徑，mm

厚度，mm

光學吸收at 10,6
nm, cm^-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

阻抗, Ohm x cm

105

5-50x10⁹

> 10⁵

1x10⁶

發光強度比，IEx/Iedge
(Iimp)

> 10

位錯密度, cm^-2

< 2 x10⁵

< 5 x10⁵

2 x10⁵

< 2 x10⁵

< 2 x10⁴

5 x10⁴

1x 10⁴

小角邊界密度, cm^-1

< 40

< 20

< 10

發光光譜的激發帶波長, nm

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

七、碲化鋅晶體（ZnTe）

尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各個尺寸

晶向：110

表面處理：拋光、鍍膜、非鍍膜

應用：THz探測、THz產生

主要型號及尺寸列表:

<110>Orientation SIZE
5 x 5 x 0.2 mm	10 x 10 x 0.2 mm		15 x 15 x 1 mm		20 x 20 x 0.5 mm
5 x 5 x 0.5 mm	10 x 10 x 0.5 mm		15 x 15 x 2 mm		20 x 20 x 0.8 mm
5 x 5 x 1mm	10 x 10 x 1 mm		15 x 15 x 3 mm		20 x 20 x 1 mm
5 x 5 x 2 mm	10 x 10 x 1.5 mm		15 x 15 x 4 mm		20 x 20 x 2 mm
5 x 5 x 3 mm	10 x 10 x 2 mm		15 x 15 x 5 mm
5 x 5 x 4 mm	10 x 10 x 3 mm
5 x 5 x 5 mm	10 x 10 x 4 mm
	10 x 10 x 5 mm
CHIPS - Are normally based upon ZnTe <100> Substrate @ 0.5 - 1 mm thickness onto which is optically glued ZnTe <110> top wafer.
<110> Front Face SIZE RANGE
<110> 300 - 500 um		<110> 100 - 200 um		<110> 40 - 90 um		<110> 20 um
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm
<110> 10 um
5 x 5 mm
10 x 10 mm
Plano – Wedged SIZE RANGE
<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge
with 0.5 - 1.0 mm <100> substrate		with 2mm <100> substrate		with 4mm <100> substrate		with 6mm <100> substrate
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm

注: 還有多種型號可選,也可以為您量身定做,詳細的技術指標請向我公司咨詢.

關鍵詞：隔離器發生器振蕩器發光二極管光電二極管

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