單晶硅壓阻式壓力傳感器工作原理
壓阻式壓力傳感器利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。
當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí)，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變，使直接擴(kuò)散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測(cè)壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號(hào)。
數(shù)字、智能:±0.075%校驗(yàn)量程
模擬、線(xiàn)性:±0.1%校驗(yàn)量程
數(shù)字、智能: 零點(diǎn)誤差:±0.1%URL/56℃ 總體誤差:±(0.2%URL+0.18%校驗(yàn)量程)/56℃
模擬、線(xiàn)性 零點(diǎn)誤差:±0.1%URL/56℃ 總體誤差:±(0.5%URL+0.5%校驗(yàn)量程)/56℃振動(dòng)影響 在任意軸向上，200Hz下振動(dòng)影響為±0.05%URL/g電源影響 小于±0.005%輸出量程/伏特。
折疊負(fù)載影響
沒(méi)有負(fù)載影響，除非電源電壓有變化。電磁干擾/射頻干擾(EMI/RFI影響) 由20至1000MHz，場(chǎng)強(qiáng)達(dá)至30V/M時(shí)，輸出漂移小于±0.1%量程。
