價格電議
KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數
型號 | KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 2 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | , 自對準 |
-柵極直徑 | 7.5 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1212 或 KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 7.9' |
- 直徑 | 5.5' |
- 離子束 | 聚焦 平行 散設 |
-加工材料 | 金屬 電介質 半導體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 6-24” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
KRI 考夫曼
離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結構 IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
考夫曼離子源 KDC 75
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 中國臺灣伯東 : 王小姐
