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KRI 考夫曼離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼型
離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用.標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 技術參數：
型號 | RFICP 40 / RFICP 40FN |
供電 | RF 射頻感應耦合 |
- 陰極燈絲 | - |
- 射頻功率 | 0.6 KW |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | |
-柵極直徑 | 4 cm |
中和器 | LFN 2000 |
電源控制 | RFICP 1510-2-06-LFNA |
配置 | - |
- 陰極中和器 | LFN1000 or MHC1000 or RFN |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 5.0' |
- 直徑 | 5.3' |
- 離子束 | 聚焦 平行 散設 |
-加工材料 | 金屬 電介質 半導體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 6-18” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
射頻離子源 RFICP 40,
射頻離子源 RFICP 40
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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