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ENX2020 廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀-電子/半導(dǎo)體檢測儀器

參考價(jià)
面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)ENX2020
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2018-10-16
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)西安市
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量9
  • 人氣值122
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西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū),是陜西省政府重點(diǎn)支持的*。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體封裝、測試設(shè)備。現(xiàn)已成為國內(nèi)電力電子行業(yè)的測試方案供應(yīng)商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機(jī)車半導(dǎo)體測試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導(dǎo),在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動(dòng)大功率IGBT參數(shù)測試系統(tǒng)、功率器件圖示系統(tǒng)、晶體管圖示儀、雪崩、浪涌、熱阻集成電路測試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、高校等諸多領(lǐng)域。

    完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀的人才隊(duì)伍一直是企業(yè)強(qiáng)化建設(shè)的重點(diǎn)。公司設(shè)有測試實(shí)驗(yàn)室,調(diào)試中心,產(chǎn)品研發(fā)中心,服務(wù)團(tuán)隊(duì)等多個(gè)技研服務(wù)部門,以滿足不同客戶對(duì)測試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總?cè)藬?shù)的70%,碩士學(xué)歷以上人員占75%,專業(yè)技術(shù)人員占比超過66%,成員大多來自航天、航空、半導(dǎo)體及微電子相關(guān)研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的人士。公司通過了質(zhì)量體系*及陜西省軟件企業(yè)認(rèn)定,承擔(dān)國家*創(chuàng)新基金項(xiàng)目等,目前獲得發(fā)明4項(xiàng),實(shí)用新型15項(xiàng),軟件著作權(quán)3項(xiàng)。

“專業(yè)專注,全心服務(wù)”是公司健康發(fā)展之基礎(chǔ)。面向未來,易恩將充分發(fā)揮自身的技術(shù)創(chuàng)新和服務(wù)優(yōu)勢,致力成為的電力電子測試方案供應(yīng)商。

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產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制
ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng),該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀-電子/半導(dǎo)體檢測儀器 產(chǎn)品詳情

廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀

ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)

概述

半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對(duì)于反激的應(yīng)用場合,電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時(shí),初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口(根據(jù)客戶需求)等多個(gè)部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率:50Hz±1Hz

環(huán)境溫度:1540

工作濕度:溫度不高于+30℃時(shí),相對(duì)濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%,無冷凝。

大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超過3000米。

   寸:800x800x1800mm

質(zhì)    量:210KG

工作電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗:320W

通信接口:USB RS232

技術(shù)指標(biāo)

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

    


ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)

概述

半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對(duì)于反激的應(yīng)用場合,電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時(shí),初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口(根據(jù)客戶需求)等多個(gè)部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率:50Hz±1Hz

環(huán)境溫度:1540

工作濕度:溫度不高于+30℃時(shí),相對(duì)濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%,無冷凝。

大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超過3000米。

   寸:800x800x1800mm

質(zhì)    量:210KG

工作電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗:320W

通信接口:USB RS232

技術(shù)指標(biāo)

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

 

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器)

 

 

 

感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

 

 

 

重復(fù)間隙時(shí)間

1-60s可調(diào)(步進(jìn)1s)重復(fù)次數(shù):1-50次

 

熱門產(chǎn)品
產(chǎn)品名稱參考價(jià)地區(qū)公司名稱更新時(shí)間 
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